BIULETYN PTP nr 7 (2/1998)

Sprawozdanie z I Kongresu PTP 25 – 30 maj 1998

Polskie Towarzystwo Próżniowe (PTP) zorganizowane w nowej strukturze od 5 września 1992 jest kontynuatorem działalności rozpoczętej już w 1964 roku z inicjatywy prof. Janusza Groszkowskiego. Do 1992 roku Towarzystwo działało najpierw pod patronatem Polskiej Akademii Nauk jako Polski Komitet Narodowy Techniki Próżniowej (PKNTP 1964-81), a od roku 1981 w ramach Stowarzyszenia Elektryków Polskich (SEP) jako Polski Komitet Techniki Próżni i Technologii Elektro-próżniowych. Od początku swojej działalności Towarzystwo włączyło się w nurt współpracy międzynarodowej stając się od 1965 roku członkiem Międzynarodowej Unii Nauki, Techniki i Zastosowań Próżni ( The International Union for Vacuum Science, Technique and Applications IUVSTA). Choć w ciągu ostatnich sześciu lat sekcje PTP zorganizowały łącznie 12 krajowych i zagranicznych szkół, seminariów i konferencji naukowych z udziałem wybitnych wykładowców, zarząd i członkowie PTP uznali potrzebę zorganizowania kongresu prezentującego przegląd wszelkiej działalności próżniowej w kraju, w celu zintegrowania środowiska naukowców i praktyków działających w zakresie nauki, techniki próżni i jej zastosowań – dziedziny będącej obecnie i w najbliższej przyszłości bazą dla technologii wytwarzania kwantowych struktur nisko-wymiarowych. Okazja do spotkania była wyjątkowa ponieważ na rok 1998 przypadła setna rocznica urodzin profesora Janusza Groszkowskiego światowej sławy pioniera nowoczesnej techniki i technologii próżniowej.

Zarząd PTP we współpracy z krakowskim środowiskiem próżniowym skupionym wokół Uniwersytetu Jagiellońskiego i Akademii Górniczo-Hutniczej, przy pomocy Ośrodka Współpracy Międzynarodowej UJ oraz wsp��pracownik�w i doktorant�w prof. prof. Marka Szymo�skiego, Tomasza Stobieckiego i J�zefa Koreckiego zorganizowa� w Centrum Sztuki Japo�skiej „Manggha” I Kongres PTP (25 – 28 maj 1998) i Mi�dzynarodowe Sympozjum – Nano-scale Modification (28-30 maj). We wszystkich imprezach kongresu i sympozjum wzi��o udzia� 211 uczestnik�w, a w towarzysz�cej kongresowi Wystawie Aparatury Pr��niowej 15 firm krajowych i zagranicznych. Podczas kongresu zaprezentowano w sesjach: Technika Pr��ni, Plazmowa In�ynieria Powierzchni, Cienkie Warstwy, Nauka o Powierzchni ��cznie 88 prac. Wyk�ad�w na zaproszenie by�o 17, ustnych prezentacji (20 minutowych) 13, prezentacji plakatowych 58. W Sesji Specjalnej Kongresu Przewodnicz�cy PTP prof. Marek Szymo�ski wyglosi� okoliczno�ciowy wyk�ad W 100 rocznice urodzin prof. Janusza Groszkowskiego, wyk�ad honorowy mia�a pani prof. M.-G Bearthes-Labrousse. Przewodnicz�cy Francuskiego Towarzystwa Pr��niowego The use of surface techniques in acid-base characterisztion of inorganic solid materials, a prof. Andrzej Ha�as przedstawi� historyczny przegl�d technik wytwarzania pr��ni i pomiar�w niskich ci�nie�, uwzgl�dniaj�cy osobisty wk�ad prof. Janusza Groszkowskiego w nowoczesny rozw�j metrologii pr��niowej, w referacie – Od Groszkowskiego do ekstremalnej pr��ni. Podczas Sesji Specjalnej wr�czono laureatom Konkursu im. prof. Janusza Groszkowskiego na najlepsz� prac� dyplomow� z pr��ni i jej zastosowa� nagrody. Lista laureat�w i wyniki konkursu za rok 1998 og�oszone zosta�y w komunikacie Przewodnicz�cego Komisji Konkursowej w Elektronice.
Podczas Kongresu dla zainteresowanych ( ok. 60. uczestnik�w), odby�y si� Kursy Techniczne, prowadzone przez wyk�adowc�w z uczelni, instytut�w i firm z zakresu: Podstaw teoretyczno-eksperymentalnych skaningowej mikroskopii tunelowej, Zastosowa� techniki pr��ni w ma�ym przemy�le, Najnowszych osi�gni�� techniki UHV.
Kongresowi towarzyszy�a okoliczno�ciowa wystawa, po�wi�cona pami�ci prof. Janusza Groszkowskiego w stulecie jego urodzin, jak r�wnie� wystawa muzealnych eksponat�w sprz�tu pr��niowego ze zbior�w muzeum UJ.
Materia�y przekazane uczestnikom podczas Kongresu to: Streszczenia – prac i Katalog Wystawowy. Pod koniec grudnia Oficyna Wydawnicza UJ przeka�e Materia�y I Kongresu PTP zawieraj�ce 56 artyku��w: 19 prezentowanych w sekcji – Techniki Pr��ni, 12 – w ramach Plazmowej In�ynierii Powierzchni, 18 – w sekcji Cienkie Warstwy i 6 – w sekcji Nauki o Powierzchni. Kongres finansowany by� ze �rodk�w KBN, UJ i PTP.

I Mi�dzynarodowe Seminarium P��przewodnikowych Sensor�w Gazowych – SGS’98

W dniach 22-25 wrze�nia 1998 r. odby�o si� w Hotelu „NARCYZ” w Ustroniu, pod auspicjami Sekcji Nauki o Powierzchni oraz Sekcji Cienkich Warstw Polskiego Towarzystwa Pr��niowego, I Mi�dzynarodowe Seminarium Semiconductor Gas Sensors – SGS’98. Pomys�odawc� Seminarium oraz Przewodnicz�cym Komitetu Naukowego i Organizacyjnego by� J.SZUBER, a g��wnym organizatorem – Zak�ad Fizyki Powierzchni P��przewodnik�w Instytutu Fizyki Politechniki �l�skiej w Gliwicach. Przewodnicz�cym Mi�dzynarodowego Komitetu Doradczego (International Advisory Committee) by� W.Goepel z Uniwersytetu w Tuebingen (Niemcy) – redaktor naczelny 9-cio tomowej serii monografii Sensors – A Comprehensive Survey.

Seminarium by�o pierwszym mi�dzynarodowym, tematycznym spotkaniem specjalist�w zajmuj�cych si� badaniami naukowymi z zakresu fizyki i technologii, oraz zastosowa� p��przewodnikowych sensor�w gazowych. Og��em w Seminarium udzia� wzi��o 70 uczestnik�w, w tym blisko 50 uczestnik�w zagranicznych z Bia�orusi, Finlandii, Francji, Hiszpanii, Izraela, Niemiec, Rosji, Rumunii, Ukrainy, W�gier i W�och, oraz ponad 20 z Polski.
Wyg�oszono ��cznie 25 referat�w zaproszonych w ramach kilku sesji tematycznych, w wi�kszo�ci przegl�dowych, na temat aktualnie prowadzonych bada� do�wiadczalnych i teoretycznych w o�rodkach zagranicznych i krajowych .

Przedmiotem kilku sesji tematycznych pierwszego dnia Seminarium by�y g��wne kierunki w badaniach oraz w zastosowaniach zastosowa� p��przewodnikowych sensor�w gazowych, w ramach kt�rych referaty przegl�dowe przedstawili: W.Goepel z Uniwersytetu w Tuebingen (Niemcy), C-D..Kohl z Uniwersytetu w Giessen (Niemcy), V. Lantto z Uniwersytetu w Oulu (Finlandia), R.Lalauze z Narodowej Szko�y G�rniczej w Saint-Etienne (Francja), G.Martinelli z Uniwersytetu w Ferrara (W�ochy) oraz V.Smyntyna z Uniwersytetu w Odessie (Ukraina).

Drugi dzie� Seminarium zdominowa�a tematyka p��przewodnikowych materia��w tlenkowych. Referaty dotycz�ce najnowszych kierunk�w w technologii wytwarzania oraz kontroli w�asno�ci cienkowarstwowych i grubowarstwowych tlenk�w p��przewodnikowych SnO2, TiO2, oraz zwi�zk�w mieszanych wyg�osili: J. de Agapito z Uniwersytetu w Madrycie (Hiszpania), J.Morante z Uniwersytetu w Barcelonie (Hiszpania), V.Golovanov z Uniwersytetu w Odessie (Ukraina), R.Ionescu z Instytutu Bada� Materia��w w Bukareszcie (Rumunia, G.Faglia z Uniwersytetu w Brescii (W�ochy), F.Reti z Politechniki w Budapeszcie (W�gry), R.Larciprete z Centrum ENEA we Frascati (W�ochy) oraz T.Rantala z Uniwersytetu w Oulu (Finlandia).

Najnowsze kierunki w technologii i badaniach p��przewodnikowych materia��w organicznych, w tym zw�aszcza ftalocyjanin metali przej�ciowych by�y przedmiotem obrad trzeciego dnia Seminarium, w trakcie kt�rego referaty wyg�osili: A.de Haan z Politechniki w Mons (Belgia), A.Pauly z Uniwersytetu w Clermont-Ferrand (Francja), L.Ottaviano z Uniwersytetu w Aquila (W�ochy), G.Pakhomov z Uniwersytetu w Ni�nym Nowgorodzie (Rosja), oraz W.Ba�a i J.�ukaszewicz z Uniwersytetu w Toruniu.

W ko�cowej cz��ci Seminarium obrady zdominowa�a tematyka najnowszych koncepcji teoretycznych w badaniach p��przewodnikowych sensor�w gazowych, kt�re zosta�y zaprezentowane w referatach V.Brynzariego z Uniwersytetu w Kiszyniowie (Mo�dawia) i T.Pisarkiewicza z AGH w Krakowie, oraz tematyka nowych metod badawczych p��przewodnikowych sensor�w gazowych, kt�r� przedstawili w swoich referatach J.Dziuban z Politechniki Wroc�awskiej, J.MIizsei z Politechniki w Budapeszcie (W�gry), oraz J.Szuber z Politechniki �l�skiej w Gliwicach.

W trakcie Seminarium odby�a si� r�wnie� sesja plakatowa, w trakcie kt�rej zaprezentowano ponad 30 komunikat�w z ostatnich prac w�asnych, oraz mi�dzynarodowy workshop n.t. Modelling of Semiconductor Gas Sensors zorganizowany z inicjatywy W. Goepela, z udzia�em obecnych na Seminarium wybitnych specjalist�w z zakresu p��przewodnikowych sensor�w tlenkowych ze wszystkich najwa�niejszych europejskich o�rodk�w naukowych z tej tematyki. W ramach tego spotkania podj�to pr�b� okre�lenia g��wnych kierunk�w bada� p��przewodnikowych sensor�w gazowych, kt�re s� aktualnie prowadzone w �wiecie, oraz kt�re nale�y rozwija� w najbli�szych latach, a tak�e pr�b� podzia�u zada� badawczych z tej dziedziny pomi�dzy g��wne o�rodki naukowe z tej tematyki w Europie. Efektem tego spotkania jest przygotowywany aktualnie du�y wsp�lny projekt badawczy z tej tematyki w ramach V Ramowego Programu Badawczego Unii Europejskiej.

Organizatorzy wydali specjalny zeszyt z programem i streszczeniami przedstawionych referat�w i komunikat�w. Pe�na tre�� referat�w zaproszonych oraz komunikat�w (po recenzjach) zostanie natomiast opublikowana w materia�ach Seminarium, w specjalnym numerze ELECTRON TECHNOLOGY, czasopisma w j�zyku angielskim wydawanego przez Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie.

Seminarium by�o finansowane cz��ciowo z op�at konferencyjnych wnoszonych przez uczestnik�w, a cz��ciowo z dotacji Komitetu Bada� Naukowych.
Seminarium sta�o si� okazj� do wymiany informacji, do�wiadcze� i pomys��w, forum do szerokiej dyskusji na temat aktualnie prowadzonych bada� z tej tematyki w Europie, oraz umo�liwi�o prezentacj� swoich osi�gni�� naukowych, zw�aszcza m�odym pracownikom naukowym. Sta�o si� ponadto okazj� do nawi�zania i zacie�nienia kontakt�w osobistych. W powszechnej opinii uczestnik�w, w tym 3 cz�onk�w komitetu redakcyjnego �wiatowego czasopisma sensorowego p.n. Sensors and Actuators B, Seminarium dobrze wype�ni�o luk� w systemie konferencji naukowych z tematyki sensorowej organizowanych w �wiecie i zgodnie ze wst�pnymi ustaleniami b�dzie organizowane cyklicznie co 2 lata, z udzia�em specjalist�w ze wszystkich wa�niejszych o�rodk�w �wiatowych z tej tematyki. Planowane jest r�wnie� wydawanie materia��w konferencyjnych kolejnych Seminari�w z tego cyklu w specjalnym numerze czasopisma Sensors and Actuators B.

Jacek Szuber

    1. Sprawozdanie z Mi�dzynarodowego Sympozjum Nano-scale Modification of Surface

    2. Zaraz po Kongresie od 28 do 30 maja odby�o si� w Centrum Sztuki i Techniki Japo�skiej „Manggha” Sympozjum Nano-scale Modification, na kt�rym zaproszeni wyk�adowcy wyg�aszali 40 minutowe przegl�dowe referaty w sekcjach:
    3. Fabrication and manipulation of nanostructures
  • Metallic nanostructures
  • Magnetic nanostructures
  • Molecular surfaces
  • Nanolitography and dynamic surface process
  • Nanochemistry at surfaces
    1. Wyk�adowc�w z zaproszonymi referatami z zagranicy by�o 21, z Polski 1, ponadto 4 referent�w krajowych zaprezentowa�o swoje badania w formie 20 minutowych. wyk�ad�w. W sesji plakatowej przedstawiono 18 prac najcz��ciej mieszanych polsko-zagranicznych zespo��w. W ostatnim dniu Kongresu PTP a pierwszym dniu przeznaczonym na rejestracj� uczestnik�w Sympozjum oby� si� koncert na dziedzi�cu Collegium Maius UJ po��czony z „get together party” dla wszystkich uczestnik�w Kongresu i Sympozjum. Ponadto uczestnicy Sympozjum w przedostatnim dniu obrad zwiedzali krajobrazowy Park Ojcowski i renesansowy zamek w Pieskowej Skale a w salach zamkowych goszczeni byli uroczyst� kolacj�. Materia�y przekazane uczestnikom Sypozjum to: Book of Abstracts i Exhibition Catalogue. Zbi�r artyku��w z Mi�dzynarodowego Sympozjum Nano-scale Modification opublikowany zostanie w specjalnym wydaniu czasopisma Applied of Surface Science, kt�re uka�e si� w kwietniu 1999 roku.

    5. Sprawozdanie z przebiegu Jubileuszowej International Summer School Mielno ’98 Modern Plasma Surface Technology

      W dniach od 11 do 15 maja 1998 roku w Mielnie k/Koszalina odby�a si� kolejna Szko�a Modern Plasma Surface Technology, organizowana przez Politechnik� Koszali�sk� oraz Polskie Towarzystwo Pr��niowe pod auspicjami �wiatowej Unii Nauki o Pr��ni i jej Technicznych Zastosowa� (IUVSTA). Szkole przypisano nazw� dziesi�tej, a wi�c jubileuszowej z racji faktu organizacji przez Politechnik� po raz dziesi�ty tego typu imprezy naukowej (pierwsze szko�y organizowane ju� w latach 1978 i 1979 nosi�y nazw� Szk�� In�ynierii Materia�owej).Tegoroczna Szko�a ponadto zbieg�a si� z dwiema wa�nymi rocznicami: trzydziest� rocznic� powstania Politechniki Koszali�skiej oraz czterdziest� pi�t� rocznic� pracy naukowej, dydaktycznej i wychowawczej Profesora Witolda Prechta, inicjatora i kierownika Szko�y. Te dwie rocznice by�y niecodziennymi akcentami programu tegorocznej szko�y; przem�wienie powitalne J.M. Rektora Politechniki Koszali�skiej prof.dr hab.in�. Wojciecha Kacalaka by�o po�wi�cone g��wnie historii Politechniki, natomiast Jubileusz Profesora Witolda Prechta uczczono uroczysto�ci� w czasie kt�rej dr Janina Reszka przedstawi�a uczestnikom Szko�y �yciorys naukowy Jubilata a przedstawiciele �rodowisk naukowych uczestnicz�cych w Szkole sk�adali Mu liczne gratulacje i �yczenia pomy�lno�ci. Zaproszonymi wyk�adowcami Szko�y byli: prof. dr H.E.Hintermann z National Research Programme NANOSCIENCE ze Szwajcarii i prof. dr L.Hultman z Link(ping University ze Szwecji.
      Prof. dr H.E. Hintermann wyg�osi� cykl bardzo interesuj�cych wyk�ad�w z zakresu technologii i bada� tribologicznych cienkich warstw a zw�aszcza warstw typu a-C:H i DLC, natomiast prof. dr L. Hultmann przedstawi� najnowsze rezultaty prowadzonych bada� twardych warstw azotkowych i w�glikowych metod� transmisyjnej mikroskopii elektronowej. Ponadto wyk�ady wyg�osili: profesor Aleksandra Soko�owska z Politechniki Warszawskiej, profesor Ellina �unarska z Instytutu Chemii Fizycznej PAN w Warszawie, profesor Edward Leja z Akademii G�rniczo-Hutniczej w Krakowie, profesor Zygmunt Rymuza z Politechniki Koszali�skiej, profesor M.Sicha z Instytutu Fizyki Czeskiej Akademii Nauk w Pradze oraz dr in�. Bogdan Wendler z Politechniki ��dzkiej i dr Michael Holzherr z Vakuum Technik Dresden GmbH z Drezna.
      Obok zaj�� wyk�adowych odby�a si� r�wnie� trzygodzinna sesja plakatowa w czasie kt�rej 24 uczestnik�w przedstawia�o rezultaty aktualnie prowadzonych prac badawczych. Szkole towarzyszy�a wystawa sprz�tu i armatury pr��niowej firm Vakuum Technik Dresden GmbH z Niemiec i Zak�adu Techniki Pr��niowej TEPRO S.A. w Koszalinie oraz narz�dzi skrawaj�cych i przyrz�d�w metrologicznych Fabryki Wyrob�w Precyzyjnych VIS S.A. w Warszawie, wsp��pracuj�cej z �rodowiskowym Laboratorium Techniki Pr��niowej Politechniki Koszali�skiej w zakresie wdro�e� pr��niowych technologii warstw anty�ciernych Ponadto firma LEO Elektronenmikroskopie z Niemiec przedstawia�a swoje wyroby z zakresu skannigowej mikroskopii elektronowej.
      W ramach imprez towarzysz�cych uczestnicy Szko�y mi�dzy innymi mieli okazj� zapozna� si� z histori� i tera�niejszo�ci� miasta Ko�obrzeg w czasie zorganizowanej wycieczki z przewodnikiem.
      Tradycyjnie, w trakcie Szko�y odby�o si� r�wnie� posiedzenie Sekcji Plazmowej In�ynierii Powierzchni Polskiego Towarzystwa Pr��niowego. Og��em w Szkole uczestniczy�o 82 osoby, ze wszystkich krajowych o�rodk�w naukowych w kraju zajmuj�cych si� pr��niowymi metodami plazmowymi in�ynierii powierzchni: Politechniki Warszawskiej, Politechniki Wroc�awskiej, Akademii G�rniczo-Hutniczej, Politechniki ��dzkiej, Politechniki Szczeci�skiej, Politechniki Krakowskiej, Politechnika Pozna�skiej, Wojskowej Akademii Technicznej, Wy�szej Szko�y Morskiej w Gdyni, Szko�y G��wnej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie, Wojskowego Instytutu Techniki Pancernej i Samochodowej w Sulej�wku, Politechniki Koszali�skiej, Instytutu Technologii Pr��niowej w Warszawie, Instytutu Chemii Fizycznej PAN w Warszawie, Instytutu Mechaniki Precyzyjnej w Warszawie, Instytutu Metalurgii i In�ynierii Materia�owej PAN w Krakowie, Instytutu Obr�bki Skrawaniem w Krakowie, Instytutu Fizyki J�drowej w Krakowie, Instytutu Obr�bki Plastycznej w Poznaniu, Mi�dzyresortowego Centrum Naukowego Eksploatacji Maj�tku Trwa�ego w Radomiu oraz o�rodk�w zagranicznych Instytutu Fizyki Czeskiej Akademii Nauk, Technische Universt(t Berlin i Vakuum Technik Dresden GmbH z Niemiec. Ponadto uczestnikami Szko�y byli przedstawiciele jednostek gospodarczych wykorzystuj�cych pr��niowe technologie plazmowe: Fabryki Wyrob�w Precyzyjnych VIS w Warszawie, Zak�ad�w VIS BEFANA w Bydgoszczy, SOFTRADE Sp. z o.o. w Poznaniu, VTT Sp. z o.o. w Koszalinie, Zak�ady Techniki Pr��niowej TEPRO S.A. w Koszalinie, Fabryki Przek�adni Samochodowych w Tczewie.
      Konkluzj� z rocznicowych refleksji uczestnik�w Szko�y, z kt�rych liczna grupa towarzyszy od pocz�tku ich zaistnienia by�o, aby Jubileuszowa Szko�a zapocz�tkowa�a now� dekad� Szk�� o formule przystaj�cej do aktualnych oczekiwa� �rodowisk naukowych zajmuj�cych si� plazmowymi technologiami pr��niowymi.
      Uczestnicy Szko�y podkre�lali wielokrotnie wysoki poziom merytoryczny wyk�ad�w, mo�liwo�ci prezentacji w�asnych wynik�w bada� na sesji plakatowej, oraz wzrastaj�cy stopie� integracji krajowych �rodowisk naukowych w zakresie technik i technologii pr��niowych.

      Sekretarz Szko�y dr in�. Piotr My�li�ski
      Kierownik Szko�y prof.dr hab.in�. Witold Precht

    6. Sprawozdanie z cyklu Konferencji Pr��niowych w Birmingham

    8. W okresie od 31.08 do 4.09.1998r. w Mi�dzynarodowym Centrum Obrad (International Convention Centre) w Birmingham, Wielka Brytania, odby� si� mi�dzynarodowy Kongres 14-th International Vacuum Congress (IVC-14) po��czony z 10-th International Conference on Solid Surfaces (ICSS-10), 5-th International Conference on Nanometer-scale Science and Technology (NANO-5) oraz 10-th International Conference on Quantitative Surface Analysis (QSA-10).

    9. Na Kongresie by�o ponad 1200 uczestnik�w z ca�ego �wiata, kt�rzy prezentowali w sesjach plenarnych i plakatowych oko�o 1000 prac ze swoich najnowszych bada�. R�wnolegle z obradami przez pi�� dni odbywa�a si� wystawa. By�o ponad 40 firm, g��wnie z kraj�w Europy i Ameryki P��nocnej. Prezentowany sprz�t, aparatura, wyposa�enie urz�dze�, nowe materia�y oraz oprogramowania komputerowe by�y �ci�le zwi�zane z tematyk� Kongresu. Katedr� In�ynierii Materia�owej oraz �rodowiskowe Laboratorium Techniki Pr��niowej Politechniki Koszali�skiej z referatami reprezentowali: prof. dr hab. in�. Witold Precht oraz mgr in�. Mieczys�aw Pancielejko.

    10. Referat – W. Precht, M. Pancielejko, A. Czy�niewski Structure and tribological properties of carbon and carbon nitride films, obtained by the ARC method, zosta� wyg�oszony na sesji plenarnej Vacuum Matallurgy przez prof. W.Prechta.
    11. Praca – M. Pancielejko, W. Precht, A. Czy�niewski Tribological properties of PVD titanium carbides prezentowany by� w sesji posterowej sekcji Vacuum Metallurgy przez doktoranta mgr in�. M.Pancielejko.
    12. Prace uczestnik�w Kongresu b�d� wydrukowane w czasopi�mie Vacuum.
      Prof. W.Precht by� cz�onkiem Mi�dzynarodowego Komitetu Programowego sekcji Vacuum Metallurgy i przewodnicz�cym obrad sesji Vacuum Melting.
      Kongres zgromadzi� szereg uznanych autorytet�w z r��nych dziedzin nauki, jak r�wnie� du�� grup� m�odych pracownik�w nauki. Pozwoli�o to na szerok� dyskusj�, wymian� do�wiadcze� i konsultacje. Wystawa, kt�ra towarzyszy�a Kongresowi, by�a obrazem jak efekty najnowszych bada� naukowych wykorzystuje si� we wsp��czesnej aparaturze badawczej i aplikacjach na miar� XXI wieku.
    13. Na podstawie sprawozdania nades�anego przez prof. W. Prechta T.Stobiecki

    1. IUVSTA

    3. W dniu 2 wrze�nia 1998 r. w Birmingham odby�o si� 13 Walne Zebranie IUVSTA, w kt�rym bra�a udzia� delegacja PTP w sk�adzie prof. Marek Szymo�ski (przewodnicz�cy delegacji), prof. Marian Herman (obecnie przewodnicz�cy PTP) i dr Piotr Szwemin.
      Sprawozdanie z Walnego Zebrania – przekaza� prof. Marian Herman.
      Sprawozdanie prezydenta IUVSTA prof. J.L.Robinsa za trzy-lecie 1995-98 jest do wgl�du na stronach IUVSTA pod adresem www.vacuum.org
    5. Sprawozdanie z 13-go Walnego Zebrania IUVSTA

    6. Na zako�czenie kadencji w�adz IUVSTA za okres (1995-98), odby�o si� w dniu 2 wrze�nia 1998r. w Birmingham, Anglia 13 -te Walne Zebranie IUVSTA, po��czone z wyborami nowych w�adz oraz ustaleniem nowego sk�adu Komitet�w IUVSTA. Po z�o�eniu sprawozdania z administracyjno-organizacyjnej strony dzia�alno�ci IUVSTA w okresie 1995-1998 przez Sekretarza Generalnego Prof.J.S.Colligona, sprawozdanie z merytorycznej dzia�alno�ci IUVSTA, z�o�y� ust�puj�cy Prezydent Prof.J.L.Robins. Sprawozdanie to (patrz IUVSTA Web-site) zawiera�o przegl�d dzia�alno�ci Zarz�du IUVSTA oraz dziewi�ciu komitet�w problemowych tj. Komitet�w: ds.

    7. Planowania Kongres�w IUVSTA,
    8. Kraj�w Rozwijaj�cych si�,
    9. Edukacji,
    10. ��czno�ci z Innymi Organizacjami �wiatowymi np. UNESCO,
    11. D�ugofalowego Planowania,
    12. Publikacji,
    13. Statut�w,
    14. Finans�w,
    15. Fundacji Welcha.
    16. Po tych sprawozdaniach odby�a si� dyskusja, kt�rej najwa�niejszym elementem by� problem zdefiniowania tzw. Kraj�w Rozwijaj�cych si�. W ramach tej dyskusji ust�puj�cy Prezydent zaproponowa� aby pod t� nazw� rozpatrywa� wszystkie kraje, kt�re z r��nych wzgl�d�w oczekuj� pomocy IUVSTA w ich dzia�alno�ci zwi�zanej z obszarem aktywno�ci tej organizacji. Wynikiem przeprowadzonej dyskusji by� wniosek o rozwi�zaniu Komitetu ds. Kraj�w Rozwijaj�cych si� z jednoczesnym w��czeniem spraw tych kraj�w do Komitetu ds. Edukacji.
    17. Kolejnym punktem programu by�y wybory nowych w�adz IUVSTA. Kandydaci do poszczeg�lnych stanowisk w Zarz�dzie na kadencj� lat 1998-2001 zostali zarekomendowani przez ust�puj�cy Zarz�d. W wyniku przeprowadzonego tajnego g�osowania wybrano nast�puj�ce osoby na odpowiednie funkcje we w�adzach IUVSTA.
    18. Prezydent IUVSTA: Prof. D.P. Woodruff (Wielka Brytania)
  • Prezydent – elekt: Prof. M.G. Barthes-Labrousse (Francja)
  • Ust�puj�cy Prezydent: Prof. J.L. Robins (Australia)
  • Sekretarz Generalny: Dr W.D. Westwood (Kanada)
  • Sekretarz Protokolant: Dr R.J. Reid (Wielka Brytania)
  • Dyrektor Naukowy: Prof. Ugo Valbusa (W�ochy)
  • Sekretarz Naukowy: Dr Massimo Sancrotti (W�ochy)
  • Skarbnik: Dr Hartmut Wahl (Szwajcaria)
    1. Ko�cowym punktem programu Walnego Zebrania by�y programowe wyst�pienia nowego Prezesa IUVSTA, prof. D.P.Woodruff’a oraz nowego Sekretarza Generalnego Dr W.D. Westwooda. Do istotnych zmian jakie zapowiedzia� nowy Prezydent nale�y zlikwidowanie Komitet�w ds. Kraj�w Rozwijaj�cych si� i ds. ��czno�ci z Innymi Organizacjami, przy jednoczesnym w��czeniu problem�w rozwi�zanych komitet�w w zakres dzia�ania Komitetu ds. Edukacji.
    2. Szczeg��owy program dzia�ania Komitet�w jak i Sekcji Tematycznych IUVSTA w nowej kadencji 1998-2001 by� dyskutowany na posiedzeniu Komitetu Wykonawczego (Executive Committee) IUVSTA (ECM-82), jakie odby�o si� w dniu 4 wrze�nia 1998r. w Birmingham, po zako�czeniu Kongresu IVC-14. Sprawozdanie podane b�dzie w nast�pnym Biuletynie PTP.
    3. M.A. Herman

    1. Krajowe Konferencje Pr��niowe organizowane przez PTP w 1999

      1. 11th International Summer School Mielno’ 99 „Modern Plasma Surface Technology” 10 – 14 maj 1999, Mielno

      Katedra In�ynierii Materia�owej, �rodowiskowe Laboratorium Techniki Pr��niowej Politechniki Koszali�skiej, Polskie Towarzystwo Pr��niowe – Sekcja Plazmowej In�ynierii Powierzchni oraz Polskie Towarzystwo Materia�oznawcze – Oddzia� Gda�ski organizuj� 11-t� Mi�dzynarodow� Szko�� Letni� Mielno’99 „Modern Plasma Surface Technology” w terminie od 10 do 14 maja 1999 roku w O�rodku Sanatoryjno-Wypoczynkowym „Syrena” w Mielnie. Szko�a odbywa� si� pod protektoratem J.M. Rektora P.K. i egid� Mi�dzynarodowej Unii Nauki o Pr��ni i Technicznych Zastosowa� (IUVSTA).
      Szko�a b�dzie tradycyjnym, jedenastym spotkaniem przedstawicieli krajowych i zagranicznych o�rodk�w naukowych zajmuj�cych si� pr��niowymi technologiami plazmowymi otrzymywnia warstw cienkich o specjalnych w�a�ciwo�ciach. Zaj�cia Szko�y, jak co roku, odbywa� si� b�d� w ramach cykl�w wyk�ad�w oraz dyskusji plenarnych. Szko�a b�dzie po�wi�cona g��wnie zagadnieniom stymulacji w�a�ciwo�ci tribologicznych warstw warunkami ich nanoszenia i mikrostruktur� oraz technologi� typu „Duplex”.
      Wyk�adowcami Szko�y b�d� zaproszeni krajowi i zagraniczni specjali�ci w tej dziedzinie. Na Szko�� zaproszenie przyj�li m.in. prof. J. Hintermann ze Szwajcarii, prof. W. Sproul z USA, prof. Chr. Donnet z Francji, prof. C. Ishimaru z Japonii, prof. P. Colligon z Anglii, prof. A. Soko�owska, prof. J. Zdanowski, prof. T. Wierzcho�, prof. S. Mitura. Bli�sze szczeg��y dotycz�ce konkretnych tytu��w i autor�w wyk�ad�w znajd� pa�stwo w drugim zawiadomieniu, kt�re wy�lemy do ko�ca stycznia 1998 roku.
      Ponadto dla uczestnik�w Szko�y, zamierzaj�cych przedstawi� w�asne wyniki bada� w zakresie technologii i zastosowa� warstw specjalnych, nanoszonych pr��niowymi metodami plazmowo-chemicznymi, odb�dzie si� sesja plakatowa. J�zykiem Szko�y b�dzie j�zyk angielski i polski.
      Koszt uczestnictwa w Szkole wynosi� b�dzie oko�o 800 z�. od osoby (5-dniowe zakwaterowanie w O�rodku Sanatoryjno-Wypoczynkowym „Syrena” w Mielnie, pokoje z �azienk�, kryty basen, wy�ywienie, uroczysta kolacja oraz lokalny transport).
      Osoby zainteresowane udzia�em w Szkole prosimy o przys�anie za��czonej Karty zg�oszenia w nieprzekraczalnym terminie do dnia 15 stycznia 1999 roku. Do karty zg�oszenia prosz� do��czy� streszczenie na p�� strony (oko�o 200 s��w) proponowanej pracy do zaprezentowania na sesji plakatowej. Kart� zg�oszenia prosz� odes�a� na adres:
      Kierownik Szko�y prof. W. Precht
      Politechnika Koszali�ska
      mgr in�. Wies�aw Walkowiak
      Katedra In�ynierii Materia�owej
      ul. Rac�awicka 15-17
      75-620 Koszalin
      e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    • V Krajowa Konferencja Techniki Pr��ni oraz V Polsko – Bia�oruskie Sympozjum

      Organizatorzy:
      Sekcja Techniki Pr��ni PTP, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej oraz
      Instytut Technologii Pr��niowej z Warszawy

      Miejsce konferencji:
      BORKI – k / Tomaszowa Maz. 9 – 11 czerwca 1999
      nad Zalewem Sulejowskim.

      Terminarz Konferencji
      wst�pna deklaracja uczestnictwa 15.10.98
      komunikat nr 2 5.01.99
      termin nadsy�ania streszcze� 15.03.99
      wys�anie informacji o akceptacji 5.04.99
      termin wnoszenia op�aty konferencyjnej 30.04.99
      komunikat nr 3 15.05.99
      pocz�tek konferencji i sk�adanie pe�nych materia��w do druku 9.06.99

      Zakres tematyczny Podstawy fizyko-chemiczne pr��ni. Desorpcja gaz�w. Nowe materia�y pr��niowe. Miernictwo i pomiary pr��niowe. Wzorce pr��ni. Wytwarzanie pr��ni: pompy i technologie wytwarzania. Aparatura pr��niowa, jej projektowanie, budowa i podzespo�y.

      Tematyka referat�w plenarnych
      b�dzie w du�ym stopniu zale�a�a od Pa�stwa. Prosimy zatem o zg�aszanie propozycji w�asnych referat�w (tytu� + nazwisko(a) autora(�w) + streszczenie robocze lub konspekt). Mo�liwe jest te� wskazanie jedynie interesuj�cej tematyki, kt�ra powinna by� om�wiona na konferencji przez autora wybranego przez Komitet Programowy. Referaty, w odr��nieniu od komunikat�w, powinny obejmowa� szersz� tematyk� i odnosi� si� nie tylko do prac w�asnych.

      Materia�y konferencyjne
      W dniu rozpocz�cia Konferencji Uczestnicy otrzymaj� komplet streszcze�, sami za� sk�adaj� pe�ne teksty swoich prac w biurze konferencji. Teksty te b�d� recenzowane i po zakwalifikowaniu ich do publikacji b�d� wydane w Materia�ach po konferencyjnych. Informacje o formie przygotowania streszcze�, pe�nych tekst�w oraz o trybie post�powania kwalifikacyjnego podamy w nast�pnym komunikacie.

      Op�ata konferencyjna
      obejmie: udzia� w konferencji, komplet streszcze� i materia��w pokonferencyjnych, zakwaterowanie i wy�ywienie od spotkania inauguracyjnego 8.06. do �niadania 12.06. w tym kolacj� kole�e�sk�. Zale�e� b�dzie ona od liczby uczestnik�w oraz uzyskanych dotacji. Przewidywana wysoko�� tej op�aty ok. 500 z�. Cz�onkowie PTP, kt�rzy b�d� mie� uregulowane sk�adki (do I kwarta�u 99 w��cznie) mog� skorzysta� z 10% ulgi. Przewidujemy tak�e znaczne obni�enie op�aty dla student�w i doktorant�w (jednak bez prawa do otrzymania materia��w konferencyjnych).

      Uczestnictwo
      Osoby pragn�ce wzi�� udzia� w konferencji proszone s� o przes�anie organizatorom wype�nionej Wst�pnej Deklaracji Uczestnictwa (do 15.10.98). Jest to warunkiem otrzymania nast�pnych komunikat�w.

      Adres do korespondencji
      dr Piotr Szwemin , Przewodnicz�cy Komitet Organizacyjny V KKTP
      IMiO POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ
      ul. Koszykowa 75; 00-662 WARSZAWA
      tel. (22) 6257395 fax. (22) 6288740
      e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    • VII Seminarium „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe” 15-18 wrzesie� 1999 Kazimierz Dolny n/Wis��

      Organizator
      Sekcje Nauki o Powierzchni i Cienkich Warstw PTP
      Zak�ad Fizyki Do�wiadczalnej Instytutu Fizyki UMCS

      Adres do korespondencji
      Dr Krzysztof Paprocki
      Zak�ad Fizyki Do�wiadczalnej Instytutu Fizyki UMCS
      e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    1. Krajowe Konferencje Pr��niowe w 1999

    3. Seminarium Techniki Jonowe TJ’99 3 do 5 marzec 1999, Szklarska Por�ba 3 do 5 marzec 1999
    5. Tematyka seminarium:
  • Teoria, modelowanie i diagnostyka wy�adowa� elektrycznych w gazie.
  • Teoria, konstrukcja, modelowanie i zastosowanie �r�de� jon�w.
  • Teoria i zastosowanie plazmy.
  • Zastosowanie wy�adowa� elektrycznych w gazie i wi�zek jon�w w metodach i urz�dzeniach badawczych, w szczeg�lno�ci w badaniach powierzchni cia�a sta�ego.
  • Zastosowanie wy�adowa� elektrycznych w gazie i wi�zek jon�w w procesach technologicznych, maj�cych na celu nanoszenie warstw, trawienie powierzchni cia�a sta�ego oraz modyfikacj� jego w�a�ciwo�ci, ze szczeg�lnym uwzgl�dnieniem modifikacji sk�adu warstwy powierzchniowej (implantacja jonowa) i jej struktury.
    1. Zakwaterowanie D.W. Rado��. Koszt 550 z� z pe�nym wy�ywieniem.
      Organizator: Instytut Techniki Mikrosystem�w Politechniki Wroc�awskiej
      50-372 Wroc�aw, ul. Janiszewskiego 11/17
    2. Informacji udziela:
      Prof. dr hab. in�. Zbigniew Kowalski
      tel. (071)320 32 59, fax: (071)328 35 04
      email: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

      1. Mi�dzynarodowe Pr��niowe Konferencje w 1999
      2. Szczeg��y na stronie http://www.vacuum.org./iuvsta/calendar.html#overview
    3. September 21-24 – European Conference on Surface Science (ECOSS-18) – Vienna, Austria

    4. European Vacuum Conference (EVC-6) – Strasbourg, France

      August 30-September 3 — International Thin Film Conference (ICTF-11), in conjunction with the 19th Mexican Vacuum and Surface Science Conference Cancún, Mexico
      e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

      Pressure Metrology from Ultra-High Vacuum to very High Pressures
      Torino , Italy 3-7 May 1999
      The Conference will focus on research work aimed at achieving the highest quality primary standards and at the dissemination of the pressure unit to the most demanding users.
      Chairperson
      Mercede Bergoglio, e-mail Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript. Additional informations are available at the following world wide web sites:
      http://www.imgc.to.cnr.it/eventi/
      Conference secretary
      Mrs. Giusy Spinasanta
      COREP, Politcnico di Torino,
      Corso Duca degli Abruzzi 24,
      10129 Torino, Italy
      Tel.+39-011-5645103, Fax+39-011-5645199
      e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

      W Mi�dzynarodowym Komitecie Doradczym Konferencji zasiada doc. Cz. Kiliszek z Instytutu Technologii Pr��niowej z Warszawy, kt�ry w imieniu organizator�w mo�e Pa�stwu udzieli� dodatkowych informacji.
      Tel. (022)8 315 164, e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript..

      ASEVA – Summer School – Edition 1999
      Asociacion Espanola del Vacio Y Sus Aplicaciones (ASEVA)
      Spanish Vacuum Society will start a series of WORKSHOPS in the permanent ASEVA SUMMER SCHOOL in several fields of Vacuum Science and Applications on highlights topics to bee discussed and presented by relevant scientists from European countries although if necessary and on the basis of their relevance research scientist from other countries could be invited. An International Organising Committee, OC, appointed by ASEVA, will propose each year the specific topic for each field and will advise to ASEVA in the scientific context as well as in organisation. The OC will propose names for the international Programme Committee which will suggest the topics and invited speakers for each WORKSHOP. The aim is to have WORKSHOPS of the highest quality both scientist and in organisation.

FIELDS OF THE ASEVA SUMMER SCHOOLS

      • surface science, basic and applied, including also basic thin films
      • vacuum science and plasma technology
      • microelectronics and nanotechnology
      • surface modification and hard coatings
      1. Additional informations – http://www.ifa.csic.es/aseva/aseva.htm

  1. 30-lecie Zak�aduTechniki Pr��niowej TEPRO S.A.

    Wa�niejsze informacje z historii Zak�adu – historyczne daty
    20.07.1968 – otwarcie Koszali�skich Zak�ad�w Maszyn Lampowych „Unimasz”
    01.06.1970 – uruchomienie produkcji pr��niowych pomp licencyjnych „SOGEV”
    01.01.1972 – po��czenie Koszali�skich Zak�ad�w Maszyn Lampowych „Unimasz” i Zak�ad�w Budowy Maszyn Lampowych Unima w Warszawie w wielozak�adowe przedsi�biorstwo (ZMUT) Zak�ady Maszyn i Urz�dze� Technologicznych „Unitra-Unima”
    03.01.1973 – decyzja dyrektora naczelnego ZMUT „Unitra-Unima” o przyj�ciu specjalizacji techniki pr��niowej i zmianie nazwy Zak�adu na Zak�ad Techniki Pr��niowej
    01.07.1982 – usamodzielnienie Zak�adu, podporz�dkowanie Ministerstwu Przemys�u Maszynowego. Zmiana nazwy zak�adu na Zak�ad Techniki Pr��niowej TEPRO w Koszalinie
    1986 – rozpocz�cie generalnej modernizacji zak�adu. Uruchomienie produkcji na obrabiarkach sterowanych numerycznie
    30.09.1988 – jubileusz 25-lecia Zak�adu i 20-lecia w obiektach przy ulicy Przemys�owej 1-3 w Koszalinie
    03.04.1992 – opracowanie programu restrukturyzacji i uzyskanie nagrody Agencji Rozwoju Przemys�u za ten program.
    25.02.1994 – podpisanie ugody bankowej.
    01.07.1994 – przekszta�cenie Zak�adu w Jednoosobow� Sp��k� Skarbu Pa�stwa.
    08.08.1996 – nadanie prze BVQI certyfikatu na system zapewniania jako�ci ISO 9001.
    15.06.1998 – og�oszenie przetargu na sprzeda� akcji Skarbu Pa�stwa
    16.10. 1998 – uroczyste obchody 30-lecia Zak�aduTechniki Pr��niowej TEPRO S.A.

    1. Lista Producent�w Aparatury Pr��niowej w Polsce

    3. ELVAC
      Przedsi�biorstwo Produkcyjno Us�ugowo Handlowe
      Jan Muzyczuk 78-430 Bobolice ul. Reja 9, tel/fax (094)187 669.
      Producent pr��niomierzy r��nych typ�w pokrywaj�cych zakres ci�nie� od 1×103 do 2×10-10 hPa, w ofercie g�owice termoelektryczne, Piraniego, Penninga i jonizacyjne.
    • INSTYTUT TECHNOLOGII PR�?NIOWEJ
      ul. D�uga 44/50
      00-241 WARSZAWA Poland
      tel: +48-22-8315164, 8316746
      fax: +48-22-8312160
      e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript., Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

Przedstawiciel firmy: Stefan W�jcicki
ITP prowadzi prace badawcze i rozwojowe dotycz�ce urz�dze� pr��niowych, aparatury wysokiej i ultrawysokiej pr��ni, spawarek elektronowych, kom�r gaszeniowych. �wiadczy us�ugi w zakresie analizy materia��w elektronicznych. ITP opracowuje i wykonuje (r�wnie� na indywidualne zam�wienia) spawarki elektronowe, kwadrupolowe spektrometry mas, urz�dzenia do epitaksji z wi�zek molekularnych, aparatur� wysokiej i ultra wysokiej pr��ni. Prowadzi tak�e produkcj� ma�oseryjn� kom�r gaszeniowych. �wiadczy us�ugi z zakresu spawania wi�zk� elektron�w.

  • PREVAC Sp z o.o
    ul. Raciborska 61
    44-362 ROG�W Poland
    tel: +48-32-4512511, +48602281470
    fax: +48-32-4512512
    e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
    http://www.prevac. katowice.pl

    Przedstawiciel firmy Dr. Andreas Glenz, dr Janusz Budzioch Projektowanie i realizacja aparatur pr��niowych, przedstawicielstwo firm: LEYBOLD i Physical Electronics oraz Balzers Process System
    PREVAC – firma wykorzystuj�ca technik� precyzyjn� i pr��niow� na skal� laboratoryjn� i przemys�ow�. Wy��czny przedstawiciel renomowanej firmy LEYBOLD produkuj�cej aparatur� i podzespo�y pr��niowe. Przedstawiciel firmy Physical Electronics w zakresie aparatur laboratoryjnych i podzespo��w takich jak: spektrometry fotoelektron�w (XPS, UPS, ESCA), spektrometry elektron�w Augera, �r�d�a foton�w, elektron�w i jon�w, analizatory energii cz�stek na�adowanych, itp.

  • Zak�ad Techniki Pr��niowej”TEPRO” SA
    ul. Przemys�owa 5
    75-216 Koszalin Poland
    tel: +48-94-3432466
    fax: +48-94-3432658

    Przedstawiciel firmy: Stefan Maksymiuk
    Produkcja wyrob�w techniki pr��niowej typu: pompy pr��niowe obrotowe, pompy ROOTA, pompy dyfuzyjne, pompy i spr��arki niskoci�nieniowe bezolejowe, zawory odcinaj�ce i dozuj�ce, pr��niomierze, armatura, agregaty, napylarki, urz�dzenia do dezynfekcji archiwali�w, pakowarki pr��niowe. Realizacja indywidualnych zam�wie� na komory pr��niowe. Us�ugi ci�cia i spawania stali nierdzewnych, elektropolerowania, wykrywania nieszczelno�ci.

  • VAK-POL
    ul. Zielona 22
    05-090 RASZYN Poland
    tel.: +48-22-7204511
    fax: +48-22-7203965

    Przedstawiciel firmy: Zygmunt Kamola, Wojciech Trypolin
    Przedstawicielstwo firm pr��niowych: LEYBOLD SYSTEMS, BALZERS PROCESS SYSTEMS, SEILER Vacuumtechnik, UIC, AERA.
    Dzia�alno��:
    Urz�dzenia i komponenty dla technik pr��niowych
    Urz�dzenia do destylacji molekularnej
    Urz�dzenia do badania szczelno�ci
    Us�ugi serwisowe i in�ynierskie

  • VTT Sp. Z o.o Techniki i Technologie Pr��niowe
    ul. Szczeci�ska 41
    75-112 KOSZALIN
    Poland
    tel: +48-94-3424034
    fax: +48-94-3426947    Przedstawiciel firmy: dr Jan Sta�kiewicz
    Oferujemy dostaw� kompletnych uk�ad�w pr��niowych oraz element�w i podzespo��w pr��niowych, napraw� i konserwacj�, doradztwo techniczne i technologiczne w zakresie techniki pr��niowej, nanoszenie cienkich warstw metodami pr��niowymi, w tym cienkich warstw odpornych na �cieranie typu TiN.
  • ?A-RT s.c. Urz�dzenia Pr��niowe i Elektronika
    Ryszard Tyrankiewicz ul. Czy��wka 23
    30-526 KRAK�W
    tel/fax: +48-12-6563401
    e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
    http://www.za-rt.com.pl

    Wytwarzanie element�w i podzespo��w do urz�dze� pr��niowych takich jak: komory, armatura, przepusty, mierniki ci�nienia, uk�ady steruj�ce. Projektowanie i budowa urz�dze� pr��niowych do konkretnych zastosowa�. Przystosowanie technologii do wykorzystania w zak�adach rzemie�lniczych. Sprzeda� materia��w i akcesori�w pr��niowych, serwis aparatury pr��niowej.

Przedstawicielstwa Firm Zagranicznych

  • KURT J. LESKER COMPANY
    1515 Worthington Avenue
    Clairton, PA 15025 USA
    tel: (412) 2334200
    fax: (412) 2334275
    WWW: www.lesker.com    		 Office for Central Europe
    1141 Budapest
    Godolloi u. 19/A Hungary
    tel: +36-1-3835322
    fax: +36-1-3834369
    e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Produkcja i dystrybucja urz�dze� i podzespo��w HV i UHV. KURT J. LESKER COMPANY jest jednym z najwi�kszych dystrybutor�w produkt�w pr��niowych w Ameryce. Projektuje i wytwarza standardowe i nietypowe urz�dzenia do bada� nadprzewodnik�w, p��przewodnik�w i cienkich warstw oraz przestrzeni kosmicznej. Produkuje r�wnie� pompy bezolejowe, analizatory gaz�w (RGA), zawory pr��niowe, pr��niomierze i inne podzespo�y pr��niowe.

  • NT-MDT Co.
    103460 State Research Institute of Physical Problems
    Moscow, Russia
    tel: +7-095-5358369
    fax: +7-095-5356410
    WWW: http://www.ntmdt.ru
    e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Przedstawiciel firmy: Sergey Saunin, Vitaly Losev
    Produkcja pr�bkuj�cych mikroskop�w skaningowych, „cantilever�w” i siatek kalibracyjnych dla mikroskopii skaningowej. Produkcja pr�bkuj�cych mikroskop�w skaningowych typu „Solver” w��cznie z UHV STM/AFM oraz SPM dla bada� p�ytek p��przewodnikowych o du�ych rozmiarach. Wytwarzanie „cantilever�w” i siatek kalibracyjnych dla SPM.

  • SHIMADZU – KRATOS
    ul. Lubomirskiego 5
    05-080 IZABELIN k. Warszawy Poland
    tel: +48-22-7227048, 7227049, 722750
    fax: +48-22-7227051
    e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Przedstawiciel firmy: Antoni Marek Borzymowski
    Shimadzu-Kratos oferuje przyrz�dy do bada� w�a�ciwo�ci powierzchni; ESCA-XPS, Auger, SIMS i ISS, do analizy chemicznej i bada� w ochronie �rodowiska: spektrofotometry; UV-VIS, AA, FTIR i RF, chromatografy cieczowe, gazowe, jonowe i cienkowarstwowe, spektrometry masowe i emisyjne.
    W naszej ofercie znajduj� si� r�wnie� przyrz�dy do okre�lania wytrzyma�o�ci materia��w (zrywarki, twardo�ciomierze, ekstensometry), plastyczno�ci materia��w i ich wytrzyma�o�ci na drgania (zakres pracy przyrz�d�w zale�nie od modelu wynosi 5 gf – 3000 tf). Zapewniamy te� aparatur� do termicznych bada� materia��w: kalorymetry r��nicowe(DSC), termograwimetry (TGA), r��nicowe analizatory termiczne (DTA) oraz aparatur� termomechaniczn� (TMA). Temperaturowy zakres pracy przyrz�d�w, w zale�no�ci od ich typu, wynosi -150OC – 1500OC. Poza sprzeda�� aparatury prowadzimy r�wnie� pe�ny zakres us�ug serwisowych. Poza sprzeda�� aparatury prowadzimy r�wnie� pe�ny zakres us�ug serwisowych. Punkty serwisowe znajduj� si� w Gliwicach, Poznaniu i Warszawie.

  • SOFTRADE Sp. z o.o.
    ul. Malwowa 35
    60-175 POZNA� Poland
    tel: +48-61-86.77.168
    fax: +48-61-86.77.111
    WWW: http://www.softrade.com.pl
    e.mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Przedstawiciel firmy: dr Artur Kajoch, Ryszard Okrasa
    Autoryzowany przedstawiciel zagranicznych producent�w przemys�owych, import, handel, doradztwo techniczne, serwis.
    Generalny przedstawiciel firm:
    PFEIFFER VACUUM GmbH, BALZERS AG – technika wysokiej pr��ni
    VAT AG – zawory pr��niowe
    PVA PFEIFFER GmbH – metalurgia pr��niowa
    VON ARDENNE, ROTH & RAU – technologie pr��niowe
    CTI CRYOGENICS – pompy kriogeniczne
    ANGELANTONI – komory symulacyjne do testowania produkt�w
    ELMA GmbH – myjki ultrad�wi�kowe

Firmy zagraniczne

  • ATOS GmbH
    Robert-Bosch-Str. 14
    D-64319 PFUNGSTADT Germany
    tel: +49-6157-95030
    fax: +49-6157-85990
    e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Przedstawiciel firmy: Volker Burschinger, Dr. Thomas Pingel
    ATOS dzia�a jako dystrybutor mikroskop�w AFM/SPM, kt�ry kupuje i sprzedaje urz�dzenia na sw�j rachunek. ATOS prowadzi doradztwo techniczne, napraw� i konserwacj� wszystkich urz�dze�, kt�rych jest dystrybutorem. Wypracowuje rozwi�zania techniczne wsp�lnie z klientem.

  • FEI Company, Components Group
    7425 NW Evergreen Parkway
    Hillsboro, OR 97124, USA
    Tel: (503) 6407593
    Fax: (503) 6407509
    WWW: www.feico.com
    E-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Przedstawiciel firmy: Scott Elderkin
    FEI jest wiod�cym dostawc� dobrzeogniskuj�cych �r�de� elektron�w i jon�w dla producent�w aparatury naukowej na �wiecie. Nasze sta�e zaanga�owanie w badania po��czone z bezpo�rednim kontaktem z ko�cowym u�ytkownikiem czyni FEI liderem w technologiach cz�stek na�adowanych.
    Podstawowe produkty:
    �r�d�o elektron�w LaB6
    �r�d�o elektron�w CeB6
    �r�d�o elektron�w Schottkyiego
    dwusoczewskowe �r�d�o elektron�w z emisja Schottkyiego
    ciek�ometaliczne �r�d�a jon�w

  • OMICRON VAKUMPHYSIK GmbH
    Idsteiner Str. 78
    D-65232 Taunusstein Germany
    tel: +49-6128-9870
    fax: +49-6128-987185
    e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.     Przedstawiciel: Dr. Martin Oertel
    Ultrawysokopr��niowe systemy do badania powierzchni
    Skaningowe mikroskopy AFM i STM    Spektrometry jon�w i elektron�w
    Urz�dzenia do produkcji pr�bek i nanoszenia cienkich warstw

  1. Nowo�ci wydawnicze

    Polecam Pa�stwa uwadze monografie prof. Macieja Bugajskiego „Low dimensional semiconductor structure”, wydan� przez Oficyn� Wydawnicz� Politechniki Warszawskiej w ramach „TEMPUS Series in Applied Physics: Solid State (1997)”, kt�ra jest bardzo dobrym wprowadzeniem w problemy technologii wytwarzania i fizyki p��przewodnikowych kwantowych struktur niskowymiarowych.
    T.Stobiecki