Sprawozdanie z V Ogólnopolskiego Seminarium „Techniki Jonowe”
Szklarska Poręba 21-23 marca 1996

Seminarium „Techniki Jonowe”organizowane jest tradycyjnie co dwa lata przez Instytut Technologii Elektronowej Politechniki Wroclawskiej. Jest ono miejscem spotkania badaczy, którzy w swojej pracy wykorzystują procesy zachodzące z udziałem jonów w próżni, w gazie zjonizowanym i plaźmie. Formuła tych seminariów różni się nieco od klasycznych wzorów konferencji naukowych ponieważ stało się ono forum do wymiany informacji na temat bieżących badań prowadzonych w jednostkach.

W V seminarium w dniach od 21 do 23 marca 1996, w Szklarskiej Por�bie bra�o udzia� 62 osoby z 16 jednostek naukowych . Wyg�oszone zosta�y 3 referaty:

• T. Burakowski – „In�ynieria powierzchni w pracach KBN”,
• A. Soko�owska – „ Praca nieobj�to�ciowa a procesy krystalizacji z udzia�erm jon�w”,
• T. Stobiecki – „Magnetyczne uk�ady wielowarstwowe w technice komputerowej”.

W formie posterowej zaprezentowano 25 prac, natomiast 40 komunikat�w przedstawiono w formie artyku��w zamieszczonych w materia�ach seminarium TJ’96 wydanych przez Instytut Technologii Elektronowej Politechniki Wroc�awskiej.
W roku 1998 planowane jest VI Seminarium.
Na podstawie wprowadzenia do Materia��w TJ’96 opracowanego przez prof. Jerzego Zdanowskiego z Politechniki Wroc�awskiej.

Sprawozdanie z VII Szko�y Letniej Mielno’96 – Modern Plasma Surface Technology,
30.05. – 1.06.1996

W dniach 30 05. do 1.06.1996 w Mielnie k/Koszalina odby�a si� kolejna, si�dma mi�dzynarodowa Szko�a Letnia „Modern Plasma Surface Technology” Oragnizatorami Szko�y Letniej by�y: Katedra Materia�oznawstwa i Technologii Materia��w i �rodowiskowe Laboratorium Techniki Pr��niowej Politechniki w Koszalinie oraz Sekcja Plazmowej In�ynierii Powierzchni PTP.
Szko�� dofinansowywa� KBN i MEN oraz Komisja Europejska d/s Wsp��pracy w dziedzinie Nauki i Technologii z krajami centralnej i wschodniej Europy poprzez program badawczy CPERNICUS’94.
Wyg�oszono og��em 11 wyk�ad�w oraz zaprezentowano 18 prac w trakcie sesji plakatowej. W tegorocznej Szkole wyk�adowc� zasadniczego cyklu wyk�ad�w by� profesor H.E.Hintermann ze Szwajcarii, wieloletni prezydent Naukowy Centrum Naukowego Materia��w dla Mikromechaniki firmy CSEM, dyrektor programu badawczego NANOWISSENSCHAFTEN, wybitny specjalista z zakresu plazmowo chemicznych technologii warstw specjalnych oraz ich bada� metodami nanotrybologicznymi. Kilkugodzinne wyk�ady profesora Hintermanna pokazywa�y przyk�ady szybkich aplikacji wynik�w bada� podstawowych do zastsowa� praktycznych i cieszy�y si� wyj�tkowym zainteresowaniem s�uchaczy.
Bardzo cenne i interesuj�ce wyk�ady wyg�osili: prof. Aleksandra Soko�owska z Politechniki Warszawskiej, prof. Ellina �unarska z Instytutu Chemii Fizycznej PAN w Warszawie, prof. Jindrich Musil z Instytutu Fizyki Czeskiej Akademii Nauk, prof. Antoni Labuda z Bia�oruskiego Instytutu w Mi�sku, prof. Tomasz Stobiecki z AGH w Krakowie. Prof. Tadeusz Burakowski zreferowa� stan realizacji projekt�w badawczych zg�aszanych do sekcji T08C In�ynierii Powierzchni i Proces�w Spajania KBN. Ponadto doktor Jan Morgiel z Instytutu Metalurgii i In�ynierii Materia�owej PAN z Krakowa wyg�osi� wyk�ad z metod mikroanalizy rentgenowskiej.
W tegorocznej Szkole, podobnie jak w roku ubieg�ym uczestniczyli przedstawiciele wsp��partner�w programu badawczego COPERNICUS z firm i o�rodk�w naukowych: VTD Vakuumtechnik Dresden GmbH, Zak�ad�w Techniki Pr��niowej w Koszalinie TEPRO S.A., Instytutu Fizyki Czeskiej Akademii Nauk i Politechniki w Koszalinie.
S�uchaczami Szko�y w og�lnej ilo�ci 88 os�b byli przedstawiciele krajowych o�rodk�w akademickich Politechnik: Warszawskiej, Wroc�awskiej, ��dzkiej, Pozna�skiej, Gda�skiej, Koszali�skiej, Instytut�w: Metalurgii i In�ynierii Materia�owej PAN w Krakowie, Obr�bki Skrawaniem w Krakowie, Technologii Eksploatacji w Radomiu, Fizyki J�drowej w Krakowie, Mechaniki Precyzyjnej w Warszawie, Uniwersytetu Jagiello�skiego, Akademii G�rniczo-Hutniczej w Krakowie. Ponadto by�a grupa s�uchaczy wywodz�cych si� z krajowych jednostek gospodarczych: Wytw�rni Sprz�tu Komunikacyjnego PZL-Rzesz�w”, Zak�ad�w VIS-Befana z Bydgoszczy, VTT w Koszalinie, Fabryki Maszyn Budowlanych „Bumar-Fablok” S.A. w Chrzanowie, Przedsi�biorstwa Innowacji Naukowo-Technicznych „Polnigosco” z Poznania, Zaklad�w Techniki Pr��niowej TEPRO S.A. w Koszalinie, Fabryki Aparatury Elektromedycznej „Famed” w �odzi.
Szko�� zaingurowa�y przem�wienia powitalne Kierownika Szko�y prof. Witolda Prechta, Rektora Politechniki Koszali�skiej prof. Wojciecha Kacalaka oraz Przewodnicz�cego PTP prof. Marka Szymo�skiego.

Zajecia Szko�y odbywa�y si� w formie jedno- i kilkugodzinnych wyk�ad�w (spis referat�w zosta� podany w biuletynie PTP nr 2 1996), dyskusji mertorycznych po wygloszonych referatach oraz sesji plakatowej.
Szkole towarzyszy�a wystawa oferty produkcyjnej i badawczej firmy VTD Vakuumtechnik Dresden GmbH z Niemiec.
Uczestnikom Szko�y umo�liwiono zapoznanie si� z pracowniami �rodowiskowego Laboratorium Techniki Pr��niowej Politechniki Koszali�skiej.
W trakcie szko�y odby�o si� posiedzenie Zarz�du PTP oraz zebranie Sekcji Plazmowej In�ynierii Powierzchnii. Na zebraniu sekcji podj�to uchwa�� o organizowniu VIII Szko�y Jubileuszowej (de facto X-tej szko�y) gdy� I-sza i II-ga nie odbywa�y si� w MIelnie , lecz w Cetuni k/Koszalina i by�y to szko�y In�ynierii Materia�owej.

Teksty wyk�ad�w wyg�oszonych w trakcie szkoly uka�� sie w formie zwartego wydwanictwa Politechniki Koszalinskiej.

Sekretarz Szko�y Kierownik Szko�y dr in�. Piotr My�li�ski prof.dr hab.in�. Witold Precht

Sprawozdanie z Konferencji „2-nd International Workshop on MBE-Growth Physics and Technology”,
MBE-GPT`96, Warszawa, 21-25 pa�dziernika 1996 r.

Technologia epitaksji z wi�zek molekularnych (MBE) nale�y obok epitaksji z fazy gazowej zwi�zk�w metaloorganicznych (MO CVD) do najwa�niejszych metod krystalizacji struktur warstwowych przyrz�d�w elektronicznych i optoelektronicznych. Stosuj�c t� metod� mo�liwe jest wytwarzanie mi�dzypowierzchni heteroz��czowych, w kt�rych przej�cie od jednego materia�u do drugiego nast�puje w obr�bie jednego monokryszta�u w spos�b skokowy, z dok�adno�ci� do jednej monowarstwy atomowej. Ta ogromna precyzja krystalizacji warstw heteroepitaksjalnych doprowadzi�a ostatnio do opracowania rutynowych metod wytwarzania w procesie MBE tzw. niskowymiarowych struktur p��przewodnikowych. Struktury te, w kt�rych gaz swobodnych no�nik�w �adunku elektrycznego przyjmuje skwantowane warto�ci energii wzd�u� jednego kierunku (s� to studnie kwantowe), dw�ch kierunk�w (s� to druty kwantowe) lub trzech kierunk�w (s� to kropki kwantowe), znajduj� ju� obecnie zastosowanie w przyrz�dach optoelektronicznych, zw�aszcza w laserach p��przewodnikowych ze studniami lub drutami kwantowymi.

Optymalizacja technologii wytwarzania metod� MBE struktur przyrz�d�w p��przewodnikowych wymaga bardzo dobrej znajomo�ci fizyki proces�w krystalizacji epitaksjalnej w �rodowisku bardzo wysokiej pr��ni. Aby przybli�y� grupie technolog�w zajmuj�cych si� krystalizacj� metod� MBE struktur p��przewodnikowych metalicznych i dielektrycznych z�o�one problemy tej fizyki, Instytut Technologii Pr��niowej zorganizowa� w pa�dzierniku 1996 roku w Warszawie mi�dzynarodowe warsztaty po�wi�cone fizyce i technologii MBE. W imprezie tej uczestniczy�o ponad 70 os�b, w tym 14 wybitnych naukowc�w, specjalist�w w dziedzinie MBE, zaproszonych na koszt organizator�w imprezy. Zaproszeni lektorzy z Anglii (3), Austrii (2), Finlandii (1), Japonii (3), Niemiec (1), Rosji (3), Szwajcarii (1) i Polski (2) wyg�osili 50-cio minutowe referaty przegl�dowe prezentuj�ce stan wiedzy na �wiecie jak i aktualne prace badawcze kierowanych przez nich laboratori�w MBE.
Program warsztat�w MBE-GPT`96 by� podzielony na 3 grupy tematyczne. Pierwsza z nich dotyczy�a fizyki epitaksjalnego wzrostu struktur warstwowych. W ramach tej grupy wyg�oszono 6 referat�w zaproszonych :

• Elementarne procesy krystalizacji w metodzie MBE przy wzro�cie warstw na profilowanych pod�o�ach w �wietle bada� metodami odbiciowej dyfrakcji elektro- n�w o wysokich energiach analizowanej technik� mikros�dy elektronowej oraz skaningowej mikroskopii elektronowej; Prof. T.Nishinaga, Uniwersytet Tokijski, Japonia.

• Powierzchniowe reakcje chemiczne i procesy kinetyczne w epitaksji warstw mo- lekularnych p��przewodnikowych zwi�zk�w grupy III-V; Prof. J.Nishizawa, Uniwersytet Tohoku, Sendai, Japonia.

• Badania strukturalne metod� wysokorozdzielczej dyfrakcji promieni X kropek kwantowych krystalizowanych w procesach samoorganizacji; Prof. G.Bauer, Uniwersytet w Linzu, Austria.

• Wzrost epitaksjalny warstw dopasowanych sieciowo do pod�o�a oraz warstw napr��onych mechanicznie krystalizowanych metod� MBE na innych ni� (100) powierzchniach krystalograficznych; Dr M.Fahy, Laboratorium Blackett`a, Londyn, Anglia.

• Jednowymiarowe struktury krystalizowane na powierzchni Si (111),obserwowane technik� odbiciowej dyfrakcji elektronowej; Prof. M.Ja�ochowski, UMCS, Lublin.

• Spektroskopowe badania z wysok� rozdzielczo�ci� przestrzenn� mi�dzy- powierzchni CoSi2/Si krystalizowanych metod� MBE; Dr H.von Kanel, Zurych, Szwajcaria.

Druga grupa prac dotyczy�a specyfiki proces�w MBE w odniesieniu do r��nych materia��w krystalizowanych t� metod�. Grup� t� tworzy�o siedem referat�w zaproszonych :

• Struktury ze studniami kwantowymi wykonane metod� MBE z nowych p��prze- wodnik�w p��magnetycznych; Prof. J.Kossut, Instytut Fizyki PAN, Warszawa.

• Badania metod� mikroskopii elektronowej dynamiki stopni krystalograficznych wyst�puj�cych na powierzchni krzemu o orientacji (111) przy krystalizacji homo- i heteroepitaksjalnej; Dr A.V.Latyshev, Instytut Fizyki P��przewodnik�w RAN, Nowosybirsk, Rosja.

• Procesy powierzchniowe i diagramy fazowe charakteryzuj�ce procesy MBE heterostruktur SiGe/Si; Dr O.P.Pchelyakov, Instytut Fizyki P��przewodnik�w RAN, Nowosybirsk, Rosja.

• MBE ze �r�d�ami z sublimuj�cymi materia�ami dla krystalizacji zwi�zk�w p��- przewodnikowych grupy III-V; Prof. M.Pessa, Uniwersytet Techniczny w Tampere, Finlandia.

• Krystalizacja metod� MBE oraz charakteryzacja heterostruktur warstwowych uk�adu materia�owego GaN; Prof. K.Ploog, Instytut Paula Drude`go, Berlin, Niemcy.

• Osobliwo�ci krystalizacji metod� MBE w�sko-przerwowych zwi�zk�w p��prze- wodnikowych grupy II-VI; Dr Yu.G.Sidorov, Instytut Fizyki P��przewodnik�w RAN, Nowosybirsk, Rosja.

• Wp�yw domieszkowania atomami baru na mechanizmy krystalizacji warstw fuleren�w C60 w metodzie MBE; Prof.H.Sitter, Uniwersytet w Linzu, Austria.

Ostatni� grup� tematyczn� tworzy�y referaty zaproszone z zakresu struktur przyrz�d�w elektronicznych i optoelektronicznychkrystalizowanych metod� MBE.

• MBE w rozwoju od bada� do zastosowa� produkcyjnych; Dr M.Henini, Uniwersytet w Nottingham, Anglia.

• Krystalizacja metod� MBE i w�a�ciwo�ci fizyczne nieperiodycznych struktur wielowarstwowych w aspekcie zastosowania w przyrz�dach optoelektronicznych;

• Krystalizacja metod� MBE i charakteryzacja heterostruktur SiGe/Si z kana�em typu p dla zastosowa� w tranzystorach polowych; Dr T.E.Whall, Uniwersytet Warwick, Coventry, Anglia.

Opr�cz wymienionych referat�w zaproszonych, przedstawiono te� 18 dwudziestominutowych komunikat�w z prac w�asnych pochodz�cych z r��nych laboratori�w MBE krajowych i zagranicznych.
Warsztaty MBE-GPT`96 zosta�y zorganizowane pod auspicjami Polskiego Towarzystwa Pr��niowego oraz przy wydatnym wsparciu finansowym ze strony Komitetu Bada� Naukowych w Warszawie. Materia�y tej imprezy b�d� opublikowane w ca�o�ci w czasopi�mie naukowym „Thin Solid Films” w Anglii w po�owie roku 1997.
W uroczysto�ci otwarcia warsztat�w MBE-GPT`96 udzia� wzi�li mi�dzy innymi :
Przewodnicz�cy Polskiego Towarzystwa Pr��niowego, Prof.M.Szymo�ski oraz Prezes Mi�dzynarodowego Stowarzyszenia Wzrostu Kryszta��w, Prof. T.Nishinaga. Obaj wymienieni prominenci skierowali do uczestnik�w imprezy uroczyste adresy powitalne. Nast�pna impreza z cyklu warsztaty MBE-GPT zosta�a zapowiedziana na pierwsz� dekad� czerwca 1999 roku w Warszawie.
Przewodnicz�cy Komitetu Organizacyjnego MBE-GPT’96
prof. Marian A.Herman

Sprawozdanie Z IV Seminarium Sekcji Nauki o Powierzchni i Cienkich Warstw PTP „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe”
Kazimierz Dolny 18-21 wrzesie� 1996 r.

Ju� po raz drugi Zak�ad Fizyki Do�wiwadczalnej Instytutu Fizyki UMCS w dniach od 18 do 21 wrze�nia 1996 roku w Kazimierzu Dolnym zorganizowa� Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe. By�o to kolejne, czwarte naukowe spotkanie cz�onk�w Sekcji Nauki o Powierzchni i Cienkich Warstw PTP oraz innych os�b zajmuj�cych si� badaniami w dziedzinie fizyki powierzchni i cienkich warstw. Cele IV-tego seminarium nie r��ni�y si� od tych jakie stawiano podczas poprzednich. �rodowisko os�b zajmuj�cych si� badaniami podstawowymi powierzchni i cienkich warstw jest w Polsce stosunkowo ma�o liczne i rozproszone w wielu uczelniach, Instytutach PAN i i Instytutach resortowych. Seminarium mia�o stworzy� okazj� do wymiany informacji na temat stanu aktualnie prowadzonych bada� oraz umo�liwi� prezentacje swoich osi�gni�� naukowych, zw�aszcza m�odszym pracownikom naukowym. Jak zwykle w takich okoliczno�ciach, mia�o ono tak�e stanowi� okazj� do nawi�zania i zacie�nienia kontakt�w osobistych.
Spotkanie zgromadzi�o ponad 90-ciu uczestnik�w ze wszystkich wa�niejszych o�rodk�w naukowych zajmuj�cych si� zagadnieniami fizyki powierzchni technologii cienkowrastwowej w Polsce. Wystapi�o 16-tu zaproszonych spsecjalist�w z referatami plenarnymi oraz odby�a si� sesja plakatowa, na ktorej przedstawiono ponad 50 prac w formie „poster�w”.
Seminarium rozpocz��o si� wyk�adem prof. Tadeusza Lewowskiego z IF UM we Wroc�awiu p.t. „Wp�yw warstw surfaktant�w na wzrost cienkich wrastw metali na pod�o�u szafirowym”. W kolejnych referatach pierwszego dnia Seminarium tematyka cienkowrastwowej technologii przeplata�a si� z zagadnieniami metod badawczych staosowanych w fizyce powierzchni.. Przyk�adem tego by�y referaty prof. Mariana Hermana z ITP w Warszawie p.t. „Okno temperaturowe procesu MBE zwi�zk�w p��przewodnikowych Cd1-xZnx Te (0<1) mas.
Drugi dzie� seminariumn rozpocz�� si� refratem prof. Marii St��lickiej z IFD UW we Wroc�awiu pod tytu�em; „Elektronowe stany powierzchniowe: od modelu Tamma do supersieci.”. Tematyka bada� podstawowych dominowa�a tego dnia Seminarium. Przyk�adem by�y referaty przedstawiciela organizator�w profesora Mieczys�aw Ja�ochowskiego z IF UMCS w Lublinie p.t. „Kwantowe efekty Halla w ultracienkich wrastwach metalicznych”, dr hab. Leszka Jurczyszyna z IFD UW we Wroc�awiu p.t. „Wielokana�owe tunelowanie elektron�w w STM” i dr hab. Jana Jaroszy�skiego IF PAN w Warszawie p.t.”Uniwersalne fluktuacje przewodnictwa w drutach kwantowych CdTe i CdMnTe”. Obrady drugiego dnia Seminarium ko�czy� referat dr Ryszarda Czajki z IF PP w Poznaniu, z prac wykonanych na Uniwersytecie w Tohoku w Japonii, pod tytu�em „Klastery Au osadzane na pod�o�u Si – obserwacje przy pomocy skaningowego mikroskopu tunelowego”.
W trzecim dniu Seminarium, prezentowane by�y cztery referaty zaproszonych go�ci: prof. Jacka Szubera z IF P� w Gliwicach p.t. „P��przewodnikowe sensory gazowe: fizyka technologia zastosowania”, prof. Macieja Bugajskiego z ITE w Warszawie p.t.”Wp�yw oddzia�ywa� wielocia�owych w dwuwymiarowym gazie elektronowym na jego w�asno�ci optyczne i wzmocnienie w strukturach laserowych”, dra Marka Przybylskiego z Zak�adu Fizyki Cia�a Sta�ego AGH w Krakowie p.t.”Metody j�drowe w fizyce powierzchni” i profesora Maraiana Nowaka z IF U� w Katowicach p.t.”Wp�yw rozk�adu �wiat�a po g��boko�ci w cienkich warstwach na fotoprzewodnictwo i efekt fotomagnetoelektryczny w p��przewodnikach”.
Wa�n� cz��ci� Seminarium by�a sesja plakatowa, podczas kt�rej uczestnicy zaprezentowali 50 plakat�w z prac w�asnych w wi�kszo�ci o tematyce zbli�onej do zawartej w referatach plenarnych.
Og��em w IV Seminarium udzia� wzi�lo 93 uczestnik�w z r��nych o�rodk�w, z czego najliczniej poza lubelskim reprezentowane by�o �rodowisko wraszawskie (19 os�b). Z Wroc�awia przyby�o 9 os�b, z Krakowa 7, Gliwic 10, Poznania 9, Cz�stochowy i �odzi po 4 , Bydgoszczy 3 i Zabrza 2.
Seminarium finansowane by�o cz��ciowo z op�at wnoszonych przez uczestnik�w a cz��ciowo z dotacji Komitetu Bada� Naukowych i op�at wniesionych przez firmy prezentuj�ce swoje wyroby. Firmy „Spekom (Fisons) oraz Vak-Pol (Leybold i Balzers)”, produkuj�ce i sprzedaj�ce sprz�t i apartur� UHV, mia�y stworzone warunki do prezentacji uczestnikom Seminarium i potencjalnym klientom swoich wyrob�w i materia��w informacyjnych.
Podtrzymana zosta�a opinia, �e Seminarium wype�nia luk� w systemie konferencji, zjazd�w i innych cyklicznych spotka� na temat fizyki powierzchni cienkich warstw. W szczeg�lno�ci daje ono okazj� do zaprezentowania si� grupom i poszczeg�lnym osobom do tej pory ma�o widocznym. Postanowiono utrzyma� w przysz�o�ci taki chrakter spotka� jaki istania� do tej pory; powinno to by� seminarium krajowe z udzia�em reprezentant�w jak najwi� kszej liczby �rodowisk naukowych.
Dorobek naukowy Seminarium w postaci materia��w konferncyjnych zostanie wydrukowany w specjalnym numerze Electron Technology , czsopi�mie drukowanym w j�zyku angielskim, wydawanym przez Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie.

Przewodnicz�cy Komitetu Organizacyjnego Sekretarz Komitetu Organizacyjnego Prof.dr hab. Mieczys�aw Ja�ochowski dr Krzysztof Paprocki

Nowe konferencje i seminaria

Konferencje i Seminaria organizowane pod patronatem PTP
V Seminarium Powierzchnia i Strukturty Cienkowarstwowe
Ustro�, 23-26 wrze�nia 1997

W dniach 23 do 26 wrze�nia, w hotelu „Narcyz” w Ustroniu Zawodziu, pod patronatem Sekcji Nauki o Powierzchni oraz Sekcji Cienkich warstw PTP, zorganizowane b�dzie V Seminarium „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe” . Organizatorem Seminarium jest Instytut Fizyki Politechniki �l�skiej. Organizatorzy zamierzaj� zachowa� tradycyjny charakter tego Seminarium, b�d�cego od pi�ciu lat spotkaniem krajowego �rodowiska specjalist�w z r��nych dziedzin zajmuj�cych sie szeroko rozumian� fizyk� chemi� i technologi� powierzchni oraz cienkich warstw.
Zawiadomienia o seminarium zostan� rozes�ane do uczestnik�w poprzednich spotka�. Ponadto informacje o seminarium b�d� rozpowszechniane w witrynie PTP: http:/www.if.uj.edu.pl/PTP/ w biuletynie nr.1 1997 Wszelkich informacji o seminarium udziela:

prof. dr hab. Jacek Szuber Zak�ad Fizyki Powierzchni P��przewodnik�w Instytut Fizyki Politechniki �l�skiej 44-100 Gliwice ul.Krzywoustego 2 tel.(032) 37 20 57 Fax.(032) 37 22 16 e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

Sprawozdania z dzia�alno�ci Sekcji PTP w 1996

Sprawozdnie Sekcji Nauki o Powierzchni PTP

Rok 1996, by� drugim rokiem dzia�alno�ci Zarz�du Sekcji Nauki o Powierzchni PTP w kadencji 1995-97 pod kierunkiem dr hab. Jacka Szubera – prof.nadzw.Politechniki �l�skiej w Gliwicach.
Najwa�niejszym osi�gni�ciem sekcji w 1996 by�o zorganizowanie, wsp�lnie z Sekcj� Cienkich Warstw PTP, IV Seminarium ”Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe” w Kazimierzu Dolnym n/Wis�� w dniach od 18 – 21 wrze�nia 1996r. (informacja o seminarium w cz��ci sprawozdania z konferencji). W trakcie trwania seminarium obecnym na seminarium cz�onkom obu sekcji przekazano najwa�niejsze informacje z prac Zarz�du PTP.

• Prof. M. Herman przedstawi� kr�tko cele i zakres dzia�alno�ci Towarzystwa w kadencji 1995 -97.
• Prof. T.Stobiecki przekaza� najwa�niejsze informacje o PTP i jego dzia�alno�ci krajowej oraz zagranicznej (inforamacje te s� dost�pne w sieci Internetu na serwerze www) oraz o mo�liwo�ci dost�pu do tzw. listy dyskusyjnej (niestety , jak do tej pory bardzo ma�o popularnej).
• prof. J.Szuber przedstawi� najwa�niejsze informacje o Sekcji Nauki o Powierzchni PTP, w tym kr�tk� histori� sekcji, filozofi� jej dzia�ania oraz informacje o zorganizowanych przez sekcj� wsp�lnie z Sekcja Cienkich Warstw PTP, corocznych seminariach „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe”.
• prof. M.Bugajski zaapelowa� do cz�onk�w sekcji Cienkich Warstw o liczny udzia� w V Seminarium „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe” oraganizowanym przez Instytut Fizyki �l�skiej prof. J.Szubera .
• na zako�czenie Seminarium prof. J.Szuber poinformowa� uczestnik�w zebrania, �e zgodnie z ustaleniami zebra� sekcji w Spale w 1995 r., kolejne V Seminarium PTP „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe” zostanie zorganizowane przez Instytut Fizyki Politechniki �l�skiej w Gliwicach odb�dzie si� w Ustroniu w dniach od 23 do 26 wrze�nia 1997. Miejscem seminarium b�dzie hotel „Narcyz”. Prof. Szuber zaprosi� bardzo gor�co, w imieniu komitetu organizacyjnego, do licznego udzia�u w kolejnym spotkaniu wszystkich zainteresowanych t� tematyk�. Poinformowa� r�wnie�, �e wyst�pi� z wnioskiem do KBN o dofinansowanie tej konferencji.

W ramach dzia�alno�ci Sekcji Nauki o Powierzchni PTP, zgodnie z ustaleniami zebrania w Spale w 1995 r. zosta�y podj�te dwie inicjatywy. Pierwsz� z nich by�a pr�ba utworzenia baz danych o krajowych o�rodkach naukowych zajmuj�cych si� powierzchni�, w ktorych prcuj� cz�onkowie PTP, dost�pnej w sieci Intrnetu na serwrze www. Niestety propozycja ta nie spotka�a si� z wi�kszym zainteresowaniem o�rodk�w. Drug� inicjatyw� by�a pr�ba wydania pod auspicjami Sekcji Nauki o Powierzchni PTP monografii, w kt�rej najwibitniejsi specjali�ci krajowi z z zakresu fizyki i chemii powierzchni przedstawiliby najwa�niejsze polskie osi�gni�cia z tej dziedziny. R�wnie� ta inicjatywa nie spotka�a si� z odzewem �rodowiska, co mo�na jednak wyt�umaczy� tym, �e rol� tak� mog� spe�nia� referaty zaproszone (przegl�dowe) wyg�aszane na corocznych Seminariach PTP, „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe”, kt�re s� nast�pnie publikowane w j�zyku nagielskim w czasopi�mie ITE – Electron Technology.
Jacek Szuber

Og�oszenie wynik�w konkursu im. J. Groszkowskiego

Wyniki Konkursu im. Janusza Groszkowskiego na najlepsz� prac� dyplomow� z dziedziny pro�ni w 1996 Komisja Konkursowa nagrody im. Janusza Groszkowskiego przyzna�a:

• nagrod� I stopnia mgr in�. Grzegorzowi Przybylskiemu za prace dyplomow� pt.:
  „Mikroskopowe badania „in situ” mo�liwo�ci modyfikowania w�asno�ci geometrycznych powierzchni materia��w polikrystalicznych za pomoc� wi�zki z jarzeniowego �r�d�a jon�w” wykonan� w Instytucie Technologii Elektronowej Politechniki Wroclawskiej pod kierunkiem prof.dr hab. in�. Zbigniewa Kowalskiego
• oraz wr��nienie dyplomem mgr in�. Jackowi Jacewiczowi za prac� dyplomow� pt.:
  „Analiza wp�ywu st��enia roztworu polialkoholu winylowego na ubytek masy mieszanin ceramicznych suszonych pr��niowo” wykonan� w Katedrze Materia�oznawstwa i Technologii Materia��w Politechniki Koszali�skiej pod kierunkiem prof.dr.hab.in�. Witolda Prechta.

Uroczyste wr�czenie nagr�d odby�o si�w Instytucie Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, w dawnym gabinecie Profesora Janusza Groszkowskiego, w dniu 21 marca 1997r.

Zainteresowanych Konkursem prof. J. Groszkowskiego na rok 1996 prosimy o bezpo�redni kontakt:

dr in�. Piotrem Szwemin Politechnika Warszawska Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki ul. Koszykowa 75 tel: (022) 6257395 Fax: (022) 6288740

e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.