Sprawozdania z konferencji
Zainteresowanych informujemy, że materiały: VI Joint Vacuum Conference Bled (Slovenia) 4-7.IV.1995 ukazały się w Fizyka A vol.4, No.2, (1995) (Part 1), eds.M.Jenko, S.Bohatka, M.Milun and M.Leisch. Fizyka A – Journal of Experimental and Theoretical Physics published by Croatian Physical Society.
Sprawozdanie z 7-th International Summer School Mielno’96 „Modern Plasma Surface Technology”
W dniach od 30. 05 do 1.06. odbyła się kolejna, tym razem siódma szkoła letnia na temat plazmowych technik modyfikacji powierzchni. W szkole uczestniczyło 80 słuchaczy z wyższych uczelni, instytutów naukowych PAN, instytutów branżowych oraz zakładów produkcyjnych z kraju i zagranicy (Niemiec, Czech, Ukrainy i Białorusi). Wykłady prezentowane w języku angielskim dotyczyły głównie otrzymywania i własności warstw i powłok twardych (hard coatings), do najciekawszych należały:
· H.E. Hintermann – Szwjacaria, Lozanna – „Industrial application of hard coated, extremely high loaded machine parts, especially bearings”. – „Characteristics of hard coating: adhesion, nanotribological properties and surface investigation by AST nad AFM”. – „Selective deposition of thin homogenous diamond films by low temperature, low pressure CVD methods and their application to the microsensors”.
· J.Musil – Czechy , Praga – „Properties of sputtered alloy films”.
· A. Sokołowska, S. Mitura, J.Szmidt – Polska, Politechnika Wraszawska – „The unepected applications of diamond and DLC films”.
· H-J. Scheibe, B.Schultrich, D. Schulze – Niemcy, Frauenhofer Institut for Solid State Physics,Drezno – „Laser Arc technology for industraial DLC films deposition”.
· T. Lunow, E.Lopez, D.Schulze, R. Wilberg – Niemcy, VTD Vakuum-Technik Dresden GmBH -„Preparation and properties of Cr-C:H layers genereted by cathodic arc deposition (CAPD)”. – „Metallization equipments prodced by VTD Vakuum-Technik Dresden GmBH”.
· A. Labuda, A. Novikow – Bialorus, University of Minsk – „Electric and Optic properties of Diamond and DLC Thin Films and their application”.
· L.Jasrabik, Fendrych, M.Novak, L.Soukup – Czechy, Institut of Physics, CAS Praga – „CNx coatings prepared by supersonic r.f. plasma”.
· E.unarska, W. Precht, N.Geewa, M.Betiuk, A.Foitzik – Polska, Instytut Chemii Fizycznej PAN Warszawa, WSI Koszalin -” Influence of hydrogen of TiCxN1-x deposition by different PVD methods”.
· J. Morgiel – Polska , Kraków, Instytut Podstaw Metalurgii PAN – „Application of X-Ray analisis in TEM to investigation of ordering materials”.
· S.Chizhik – Polska , Instytut Mechaniki Precyzyjnej Warszawa – „Atomic force microscope (AFM) od diamond-like carbon (DLC) coatings”.
· T. Stobiecki – Polska AGH, Kraków – „RFA as control method of the sputtering process of TiN films”.
Uczestnicy szkoły przedstawili swoje prace w ramach sesji plakatowej. Członkowie Sekcji Plazmowej Inżynierii Powierzchni podjęli uchwałę podczas swojego zebrania o zorganizowaniu za rok VIII Szkoła Letnia również w Mielnie.
Materiały VI Szkoły Letniej ” Modern Plasma Surface Technology” pod redakcją W. Prechta ukazały się w fomie wdawnictwa WSI.
Nowe konferencje i seminaria
10th International Conference on Thin Films and 5th European Vacuum Conference 23-27.IX.96, Salamanca, Spain. Kontakt: Laboratorio de Fisica del Vacio y Superficies, Instituto de Fisica Aplicada CETEF „L Torres Quevedo” Serrano 144 E-28006 Madrid, Spain. tel:(34)(1)5618806 ext.328, fax:(34)(1)4117651, e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
ECOSS-16 16th European Conference on Surface Science, 9-13.IX.96, Genowa, Italy Kontakt: c/o Dipartamento di Fisica, Via Dodecaneso 33, 16146&nbpsGenowa,Italy Tel:(3910)3536284, Fax:3622790; e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
IVC-14/ICSS-10 14th International Vacuum Congress, 10th International Conference on Solid Surfaces, 31.VIII-4.IX.98 Birmingham,UK Kontakt: THE INSTITUTE OF PHYSICS 47 Belgrave Sq., London SW1X 8QX, UK e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
IV Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe 18-21 września Kazimierz Dolny jest organizowane przez Zakład Fizyki Doświadczalnej Instytutu Fizyki UMCS pod patronatem PTP – Sekcje Nauki o Powierzchni i Sekcje Cienkich Warstw. Celem Seminarium jest wymiana informacji naukowej pomiędzy laboratoriami pracującymi w badaniach powierzchni ciała stałego oraz nad otrzymywaniem i badaniem własności cienkich warstw metali i półprzewodników. W tym roku swoje referaty zapowiedzieli:
· L. Baczewski – IF PAN Warszawa – ” Magnetyczne warstwy wielokrotne Co/Cu otrzymywane metodą epitaksji z wiązek molekularnych”
· M. Bugajski – ITE Warszawa – ” Wpływ oddziaływań wielociaowych w dwuwymiarowym gazie elektronowym na jego własności optyczne i wzmocnienie w strukturach laserowych”
· R. Czajka – IF , Politechnika Poznańska – ” Klastery Au osadzane na podłożu Si- obserwacje przy pomocy skaningowego mikroskopu tunelowego”
· M. Jaochowski – IF UMCS Lublin – „Struktury quasi – jednowymiarowe”
· J. Jaroszyński – IF PAN Warszawa – ” Uniwersalne fluktuacje przewodnictwa w drutach kwantowych CdTe i CdMnTe”
· L.Jurczyszyn – IFD Uniwersytet Wrocławski – ” Wielokanałowe tunelowanie elektronów w STM”
· J. Korecki – AGH Kraków – ” Metody jądrowe w fizyce powierzchni”
· B. Lesiak – ICHF PAN, Warszawa – ” Badania powierzchni układów bimetalicznych i półprzewodnikowych za pomocą AES i XPS wspomaganych wybranymi metodami sztucznej inteligencji (klasteryzacja, reguły rozmyte)”
· T. Lewowski – IFD Uniwersytet Wrocławski – ” Wpływ warstw surfaktantów na wzrost cienkich warstw metali na podlożu szafirowym”
· S. Mróz – IFD Uniwersytet Wrocławski – „Nieniszczące badanie profilu koncentracji warstwy powierzchniowej metodami kierunkowej spektroskopii elektronowej”
· K. Pakuła – IFD Uniwersytet Warszawski – „Homoepitaksja GaN metodą MOCVD”
· M. Stlicka -IFD Uniwersytet Wrocławski – ” Wpływ powierzchni i domieszek na strukturę elektronową supersieci półprzewodnikowych”
· T. Stobiecki – AGH Kraków – ” Magnetyczne warstwy sprzężone”
· J. Szuber- IF Politechnika Śląska, Gliwice – ” Półprzewodnikowe sensory gazowe: fizyka technologia zastosowania”
Miejsce Seminarium
Dom Dziennikarza ul. Małachowskiego 17 24-120 Kazimierz Dolny Tel (081) 101-63 Fax:(081) 101-65
Opłata konferncyjna wynosi 350 zł i obejmuje noclegi wyżywienie i materiały konferencyjne. Opłatę należy wnieść do 5 września 1996 na konto UMCS w banku: BDK Lublin III Oddział Regionalny Nr 334206-209474-139-119 (z zaznaczeniem IV Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, nazwiska osób za które opłata jest wniesiona). Materiały Konferencyjne publikowne bedą w Electron Technology w j. angielskim.
Informacje
Dr Krzysztof Paprocki Instytut Fizyki UMCS, pl. M. Curie-Skłodowskiej 1 20-031 Lublin Tel: (081) 37-61-31, 37-61-46 Fax: (081) 37-61-91
e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
IV Krajowa Konferencja Techniki Prózni 16 – 19 października Bachotek k/Brodnicy Prezydium Sekcji Techniki Próżni PTP proponuje powrócić do tradycji monotematycznych spotkań poświęconych fizyce, technice i technologii próżni. Trzy poprzednie konferencje odbyły się w latch 70-tych w Warszawie , Świeradowie oraz Mielnie. Przekonani o celowości tych spotkań stawiamy sobie następujące cele:
· dokonanie przeglądu aktualnego stanu wiedzy w wybranych obszarach techniki próżni,
· rozpowszechnienie informacji o prowadzonych w kraju badaniach w dziedzinie próżni, w szczególności wyników prac publikowanych przez Państwa za granicą,
· umożliwienie dyskusji merytorycznej na tematy związane z pracami badawczymi i rozwojowymi,
· ułatwienie w nawiązywaniu współpracy między poszczególnymi ośrodkami i zespołami badawczymi.
Referaty i komunikaty prezentowane będą sekwencyjnie, a przy większej liczbie zgłoszonych prac przewidujemy także organizację sesji plakatowej. Zakres tematyczny obejmuje: Podstawy fizyko-chemiczne próżni. Miernictwo i pomiary próżniowe. Wzorce. Wytwarzanie próżni. Aparatura próżniowa, jej projektowanie budowa i pozespoły. Tematyka referatów plenarnych
P. Murawski – Wytwarzanie próżni. J. Marks, P.Szwemin – Pomiar ciśnień całkowitych i cząstkowych. M. Adydan, W.Górski – Metrologia próżniowa. A. Ciszewski, A.Hałas – Wydzielanie gazów w próżni. M. Niewiski, P.Szwemin – Projektowanie aparatury próżniowej. E.Leja – Współczesne zastosowania próżni. Panel: – Szanse techniki próżni w Polsce – poprowadzi Cz. Kiliszek
Miejsce Konferencji Konferencję organizujemy w dniach od 16 do 19 października 1996 w Ośrodku Szkoleniowo – Wypoczynkowym Uniwersytetu M. Kopernika, pięknie położonym w starym lesie nad jeziorem Bachotek (poj. Brodnickie).
Opłata koferencyjna obejmie udział w konferencji, druk materiałów konferencyjnych (streszczeń), zakwaterowanie i wyżywienie – od kolacji 16 do śniadania 19.10, spotaknie inauguracyjne, kolacją koleżeńską. Przewidywana wysokość opłaty konferencyjnej wynosi 250 zł. Termin wnoszenia pełnej opłaty konferencyjnej 30.09. 1996
Streszczenia referatów i komunikatów prosimy nadsyłań w postaci co najwyżej 1 strony maszynopisu (A4) na dyskietce 3,5″ i w dwu egzemplarzach wydruku na drukarce laserowej w formacie Word MS dla Windows (6.0 lub 2.0) stosując czcionkę Times MS 12 pkt z odstępem miedzy wierszami 1,5 i z marginesami: lewy i górny 2,5 cm, pozostałe (prawy i dół) po 2cm. Tytuł prosimy pisać w całości dużymi literami, niżej po 1 odstępie, prosimy podać imiona i nazwiska autorów, a w następnym wierszu nazwę i adres instytucji autorów. Tekst streszczenia prosimy pisać po 1 odstępie.
Adres do korespondencji
dr inż. Piotrem Szwemin Politechnika Warszawska Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki ul. Koszykowa 75 tel: (022) 6257395 Fax: (022) 6288740
e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
Walne Zebranie
Sprawozdanie z Walnego Zebrania PTP
I.Część sprawozdawczo-programowa
Sprawozdanie zarządu PTP z działalności za rok 1995
W dniu 1 marca 1996 w Col. Maius UJ odbyło się Walne Zebranie PTP. Przewodniczący PTP prof. Marek Szymoski w imieniu Zarządu PTP złożył sprawozdanie za działalność w roku 1995. Przekazując w streszczeniu informacje z działalności PTP w 1995 roku można wyróżnić następujące kierunki:
· kontakty miedzynarodowe w ramach IUVSTA
Sprawy Organizacyjne
Przeniesienie siedziby Towarzystwa z Koszalina do Warszawy – z dniem 8 wrze�nia 1995 roku S�d Wojew�dzki w Warszawie zarejestrowa� PTP z siedzib� w Instytucie Technologii Pr��niowej – ITP, 00-241 Wraszawa ul. D�uga 44/50. W zwi�zku z przeniesieniem siedziby do Warszawy obowi�zki skarbnika PTP od mgr. in� Paw�a Murawskiego przej�� doc. dr Jerzy Marks z ITP.
Dzia�alno�� naukowa
Dzia�alno�� naukowa Towarzystwa prowadzona jest w sekcjach porzez seminaria naukowe. Sekcja Plazmowej In�ynierii Powierzchni zorganizowa�a pod kierunkiem jej przewodnicz�cego VI Miedzynarodow� Szko�� Letni� w Mielnie – „Modern Plasma Surface Technology” 30.05.- 1.06.1995. Obszerne sprawozdanie ze szko�y w Biuletynie PTP nr.1 (19) luty 1996. Sekcja Nauki o Powierzchni I Cienkich tradycyjnie zorganizowa�y pod kierunkiem prof. Macieja Bugajskiego III Seminarium „Powierzchni i Struktury Cienkowarstwowe” w Spale od 23 do 26 pa�dziernika. Celem seminarium by�a wymiana informacji na temat aktualnie prowadzonych bada�, osi�gni�� naukowych poszczeg�lnych zespo��w i integracja krajowego �rodowiska specjalist�w zajmuj�cych si� fizyko-chemicznymi metodami badania powierzchni materia��w jak i metodami wtwarzania, charakteryzacj� i teori� struktur cienkowarstwowwych na bazie p��przewodnik�metali i dielektryk�w. W seminarium wzi��o udzia� 118 uczestnik�w z 21 o�rodk�w naukowych. Materia�y seminarium zostan� wydrukowane w j.angielskim w „Electron Technology” vol.29, nr.2/3 (1996).
Dzia�alno�� mi�dzynarodowa
Polskie Towarzystwo Pr��niowe by�o aktywnie reprezentowane we wszystkich formach dzia�alno�ci mi�dzynarodowej Unii IUVSTA. Wyra�a�o si� to poprzez aktywny udzia� w posiedzeniach Komitetu Wykonawczego IUVSTA w Brdo S�owenia (kwiecie� 1995) i Yokohamie (Japonia, wrzesie� 1995), udzia� polskiej delegacji (3 osoby)w posiedzeniu Walnego Zgromadzenia IUVSTA w Yokohamie oraz przewodniczeniu przez przedstawiciela PTP Komitetowi Kraj�w Rozwijaj�cych si� IUVSTA. Prezydent IUVSTA w specjalnym pi�mie wyrazi� uznanie i podzi�kowanie dla wk�adu naszych przedstawicieli w dzia�alno�� Unii. R�wnocze�nie przedstawiciele PTP s� cz�onkami w�skiego komitetu programowego trzech oddzia��w Unii, to jest Applied Surface Science Division (prof. Aleksander Jab�o�ski z Instytutu Chemii Fizycznej PAN w Warszawie), Surface Science Division (prof. Marek Szymo�ski Instytut Fizyki UJ) i Vacuum Science Division (dr Piotr Szwemin Instytutu Mikro- i Optoelektroniki PW). PTP delegowa�o tak�e swoich przedstawicieli do kolegium elektorskiego wszystkich oddzia��w naukowych IUVSTA. Prof.Szymo�ski jest tak�e m��em zaufania komisji stypendialnej IUVSTA tzw.Welch Committee poczawszy od kwietnia 1995 roku. Z upowa�nienia Vacuum Science Division IUVSTA dr Szwemin jest cz�onkiem Komitetu Programowego V Europejskiej Konferencji Pr��niowej w Salamance. Na podkre�lenie zas�uguje r�wnie� aktywny udzia� naukowy przedstawicieli PTP uczestniczacych ww miedzynarodowych konferencjach nukowycho tematyce pr��ni w tym Bled, Slovenia – VI Joint Vacuum Conference (6 refera i 6 prezentacji plakatowych) i Ykohamie – Int. Vacuum Congress i Int. Conf. on Surface Science (2 referaty i 3 prezentacje plakatowe).
Dzia�alno�� promocyjna
PTP posiada stron� tytu�ow� w sieci INTERNET-u w serwisie World-Wide-Web, gdzie na bie��co jest dost�pny biuletyn PTP. Uruchomiono te� Elektroniczn� List� Dyskusyjn� PTP. Umo�liwia ona wzajemn� wymian� informacji pomi�dzy osobami zainteresowanymi tematyk� pr��ni. Zarz�d postanowi� te� kontynuowa� tradycje wydawania biuletynu w postaci wk�adki do czasopisma „Elektronika”. W okresie od ostatniego Walnego Zebrania odby�y si� dwie edycje konkursu im.J.Groszkowskiego na najlepsz� prac� dyplomow� z tematyki zwi�zanej z szeroko poj�tymi zagadnieniami pr��ni i dziedzin wykorzystuj�cych pr��nie w prowadzonych badaniach. Niestety konkurs cieszy si� umiarkowanym powodzeniem. Zarz�d PTP rozwa�y mo�liwo�� zmiany formu�y i regulaminu Konkursu.
Realizacja uchwa� poprzedniego Walnego Zebrania PTP
Wsr�d sze�ciu uchwa� Walnego Zebrania zdnia 24.02.1995 jedynie uchwala nr.3 w sprawie zmian w statucie ma charakter zalecenia dla pracy obecnego Zarz�du. Zgodnie z pierwsz� cz��ci� tego zalecenia Zarz�d przeprowadzi� niezb�dne dzia�ania w wyniku, kt�rych dokonano przeniesienia siedziby w�adz Towrzystwa z Koszalina do Warszawy. Zarz�d widzi konieczno�� przeprowadzenia dalszych zmian w statucie PTP i powo�a� komisj� w sk�adzie: prof. M.Herman, doc.J.Marks i doc. W.Sielanko, kt�rej zadaniem jest redakcja proponowanych zmian w statucie oraz przeprowadzenie konsultacji tych zmian z Zarz�dem PTP i cz�onkami Towarzystwa. Planowany termin dokonania zmian wyznaczono na nast�pne Walne Zebranie PTP w 1997 r.
Program dzia�ania Zarz�du PTP w 1996 roku
Zarz�d PTP zamierza kontynuowa� dzia�alno�� merytoryczn� i oragnizacyjn� z godnie z za�o�eniami programowymi przedstawionymi w refercie przewodnicz�cego PTP wyg�oszonym w dniu 24 lutego 1995 r. W szczegolno�ci:
1. kontynuowa� dzialalno�� miedzynarodow� w oraganach Mi�dzynarodowej Uni IUVSTA,
2. kontynuowa� wydawanie biuletynu informacyjnego PTP w postaci wk�adki do „Elektroniki” i w postaci informacji rozpowszechnianej za po�rednictwem INTERNET-u. Apelujemy do cz�onk�w PTP do aktywnego udzia�u w tej dzia�alno�ci i uczestnictwa w Internetowej li�cie dyskusyjnej,
3. przeprowadzi� kolejn� edycje konkursu im.J.Groszkowskiego,
4. kontynuowa� dzia�alno�� naukow� w ramach seminari�w i konferencji organizowanych przez Sekcje PTP (spis konferencji w odr�bnej cz��ci biuletynu).
Uchwa�y Walnego Zebrania
W dniu 1 marca 1996 Walne Zebranie PTP przyj��o:
1. sprawozdanie z prac Zarz�du PTP z�o�one przez przewodnicz�cego Towarzystwa prof. dr hab. Marka Szymo�skiego,
2. sprawozdanie finansowe z�o�one przez ust�puj�cego skarbnika PTP mgr. in�. Paw�a Murawskiego,
3. prelimanrz bud�etu na rok 1996 z�o�ony przez nowego skarbnika PTP doc.dr Jerzego Marksa,
4. program dzia�ania Zarz�du PTP na rok 1996
II. Cz��� naukowa
w drugiej cz��ci Walnego Zebrania prof. Andrzej Ha�as z Politechniki Wroc�awskiej wyg�osi� referat: „Ekstremalna pr��nia”
Walne Zebranie zako�czy�o obrady oko�o g.15-tej.
Sekcje PTP
Sekcja Nauki o Powierzchni
Informacja z zebrania Sekcji (24.X.1995 Spa�a) Przewodnicz�cy Sekcji prof. J.Szuber wyst�pi� z inicjatywami, popartymi przez cz�onk�w sekcji:
· stworzenia bazy danych o krajowych laboratoriach zajmuj�cych si� powierzchni�. Redaktorzy biuletynu PTP prosz� o zg�oszenia, najlepiej poprzez List� Dyskusyjn� PTP.
· opracowania monografii z zakresu fizyki i chemii powierzchni. Prof Szuber zainteresowanych t� inicjatyw� prosi o kontakt na adres: Politechnika �l�ska, Gliwice
· organizacji w 1997 roku przez Instytut Fizyki Politechniki �l�skiej V Seminarium „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe”
Zainteresowanym problemami fizyki powierzchni podajemy terminy konferencji i seminari�w:
XV ECOSS Genua (W�ochy) Sept. 1996 XIV IVC Birmingham (Anglia) – May 1998 XVIII Seminar on Surface Physics Polanica – organizuje Uniwersytet Wroc�awski, Instytut Fizyki Do�wiadczalnej, 10-14 czerwiec 1996 kontakt: e-mail: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.; fax(+48-71)223365,214454 Seminarium Polskiego Towarzystwa Synchrotronowego, Jaszowiec 1996 – informacja prof. B.Or�owski. VI Symposium on Surface Physics w Pradze, czerwiec 1996 (informacja od dr R. Kucharczyka).
Og�oszenie wynik�w konkursu im. J. Groszkowskiego
Wyniki Konkursu im. Janusza Groszkowskiego na najlepsz� prac� dyplomow� z dziedziny pro�ni w 1995
W dniu 21 marca 1996 w dawnym gabinecie prof. Janusza Groszkowskiego odby�o si� uroczyste wr�czenie nagr�d i dyplom�w. Mi�o nam poinformowa�, �e:
· laureatem I nagrody w ysoko�ci 1400 z� i rocznej prenumeraty „Elektronika” zosta� mgr in�. Krzysztof Ferfecki za prac� (wykonan� w Katedrze Elektroniki AGH) : „Modyfikacja p��przewodnikowych w�asno�ci cienkich warstw dwutlenku tytanu TiO2-x”
· laureatem II nagrody w wysoko�ci 700 z� i rocznej prenumeraty „Elektronika” zosta� mgr Pawe� Korecki za prac� (wykonan� w Instytucie Fizyki UJ): „Badanie struktury powierzchni izolator�w metod� IMEED”
Wyr��nienia dyplomami otrzymali:
· mgr �wiatos�aw Nowogrodzki za prac� (wykonan� w Instytucie Fizyki UMCS): „Efuzyjne wi�zki molekularne”
· mgr in� Leszek Przybysz, mgr in�. Dariusz Za�uski za prac� (wykonan� w Instytucie Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW): „Przep�ywomierz gazu rozrzedzonego – modernizacja i badania uk�ad�w pr��niowego i elektronicznego”
· mgr Artur W�jtowicz za prac� (wykonan� w Instytucie Fizyki UMCS): „Metoda wzorc�w wewn�trznych w datowaniu minera��w i ska� w oparciu o rzopad potasu- 40”
Zainteresowanych Konkursem prof. J. Groszkowskiego na rok 1996 prosimy o bezpo�redni kontakt:
dr in�. Piotrem Szwemin Politechnika Warszawska Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki ul. Koszykowa 75 tel: (022) 6257395 Fax: (022) 6288740
e-mail:Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.